考题
探头的晶片尺寸增加对探头的（）有不利影响。A、 声束的指向性B、 近场区长度C、 远距离缺陷检出能力D、 以上都是
考题
同频率的探头其扩散角与探头晶片尺寸成反比，近场区长度与晶片面积成正比。
考题
横波探头晶片尺寸一定，K值增大时，近场区长度减小。
考题
斜探头横波声场近场区分布在两种介质中，在晶片尺寸和频率相同时近场区长度随横波探头K值的增大而（）。 A、 增大B、 不变C、 减小D、 都有可能
考题
提高近表面缺陷的探测能力的方法是（）A、用TR探头B、使用窄脉冲宽频带探头C、提高探头频率，减小晶片尺寸D、以上都是
考题
由N=D2/4λ可知晶片尺寸增加，近场区长度迅速增加，（）。A、 对探伤有利B、 对探伤不利C、 半扩散角增大D、 超声波能量发散
考题
提高探头频率，增大晶片尺寸可以提高近表面缺陷的探测能力
考题
探头晶片尺寸（），近场区长度增加，对近表面的缺陷探测不利。
考题
斜探头近场区长度是按晶片在投影后的有效面积计算。
考题
探头晶片尺寸（），近场区长度增加，对近表面探伤不利。A、增加B、减小C、不变
考题
说明指向角和近场区长度的关系，在实际探伤中如何选择探头频率和晶片的尺寸？
考题
选择较小尺寸的探头晶片探伤（）。A、有利于发现缺陷B、不利于对缺陷定位C、可提高探伤灵敏度D、有利于对缺陷定位
考题
双晶片联合探头，由于盲区较小，因此有利于近表面缺陷的探测。
考题
探头晶片尺寸增加，近场区长度增加，对探伤不利。
考题
判断题双晶片联合探头，由于盲区较小，因此有利于近表面缺陷的探测。A
对B
错
考题
问答题说明指向角和近场区长度的关系，在实际探伤中如何选择探头频率和晶片的尺寸？
考题
单选题由N=D2/4λ可知晶片尺寸增加，近场区长度迅速增加，（）。A
对探伤有利B
对探伤不利C
半扩散角增大D
超声波能量发散
考题
单选题斜探头横波声场近场区分布在两种介质中，在晶片尺寸和频率相同时近场区长度随横波探头K值的增大而（）。A
增大B
不变C
减小D
都有可能
考题
单选题横波探头晶片尺寸一定时，K值与近场区长度的关系为（）A
K值增大时，近场区长度不变B
K值增大时，近场区长度增大C
K值增大时，近场区长度减小D
K值与近场区长度无关
考题
判断题横波探头晶片尺寸一定，K值增大时，近场区长度减小。A
对B
错
考题
单选题探头的晶片尺寸增加对探头的（）有不利影响。A
声束的指向性B
近场区长度C
远距离缺陷检出能力D
以上都是
考题
问答题探头晶片尺寸增加，对探伤有哪些不利因素？
考题
单选题提高近表面缺陷的探测能力的方法是（）A
用TR探头B
使用窄脉冲宽频带探头C
提高探头频率，减小晶片尺寸D
以上都是
考题
填空题探头晶片尺寸（），近场区长度增加，对近表面的缺陷探测不利。
考题
判断题探头晶片尺寸增加，近场区长度增加，对探伤不利。A
对B
错
考题
单选题探头晶片尺寸（），近场区长度增加，对近表面探伤不利。A
增加B
减小C
不变
考题
判断题同频率的探头其扩散角与探头晶片尺寸成反比，近场区长度与晶片面积成正比。A
对B
错