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青海黄河水电多晶硅项目是我国第几套电子级多晶硅项目（）

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参考答案

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考题 低温多晶硅TFT技术的最大优势是什么?
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考题 硅提纯及制备工艺流程正确的是()。 A、石英砂-西门子法多晶硅-金属硅-直拉单晶硅B、金属硅-石英砂-西门子法多晶硅-直拉单晶硅C、石英砂-金属硅-西门子法多晶硅-直拉单晶硅D、西门子法多晶硅-石英砂-金属硅-直拉单晶硅
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考题 中国首次引进DRB的是（）A.二滩水电站项目B.黄河小浪底项目C.长江三峡项目D.青藏铁路项目
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考题 能够从上述资料中推出的是：A.2015年1月多晶硅进口价格约为200美元/千克 B.2015年多晶硅进口金额超过25亿美元 C.2015年多晶硅进口量曾连续3个月环比下降 D.2015年有一半的月份多晶硅进口量高于1万吨
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考题 项目资本金占项目总投资的比例最低为30%及以上的投资行业包括（ ）。A：城市轨道交通项目 B：机场项目 C：水泥项目 D：多晶硅项目 E：玉米深加工项目
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考题 下列关于固定资产投资项目的最低资本金比例的说法中，正确的有()。A.保障性住房和普通商品住房项目为25％ B.钢铁、电解铝项目为40％ C.水泥项目为30％ D.黄磷、多晶硅项目为30％ E.玉米深加工项目为25％
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考题 中国首次引进争议评审委员会(DRB)的项目是()项目。A:黄河小浪底 B:二滩水电站 C:长江葛洲坝 D:黄河三门峡
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考题 项目资本金占项目总投资的比例最低为30%及以上的投资行业包括（ ）。A.城市轨道交通项目 B.机场项目 C.水泥项目 D.多晶硅项目 E.玉米深加工项目
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考题 多晶硅栅极刻蚀最大的挑战就是对（）的高选择性。超薄的栅氧化层使得在刻蚀多晶硅电极时对栅氧化层的刻蚀要尽可能的小。A、二氧化硅B、氮化硅C、单晶硅D、多晶硅
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考题 简述低温多晶硅技术的挑战。
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考题 哪种化学气体经常用来刻蚀多晶硅？描述刻蚀多晶硅的三个步骤。
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考题 在多晶硅薄膜制造装置中可使用RTP，将得到的灯光用（），然后缓慢地移动位置，使多晶硅薄膜再结晶化。
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考题 铸造技术为何能提高多晶硅纯度；制备铸造多晶硅的工艺流程；描述直培法工艺；影响直培法制备柱形多晶硅的因素。
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考题 太阳能电池产业链由以下五个环节组成，其中进入壁垒最高的是（）。A、高纯多晶硅原料生产B、单晶硅拉制或多晶硅定向浇铸C、硅片切割D、电池芯片生产
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考题 晶体硅电池大面积多晶硅绒面的制备结论？
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考题 对钢铁、水泥制造、平板玻璃、多晶硅、煤化工、风电设备六大产能过剩行业的新开工项目，授信必须由总行统一审批。（）
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考题 含硅量≥99.9999999%的多晶硅废
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考题 问答题简述多晶硅注入的应用
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考题 问答题单晶硅与多晶硅的区别？
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考题 问答题什么是多晶硅？
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考题 单选题青海黄河水电多晶硅项目是我国第几套电子级多晶硅项目（）A 一B 二C 三D 四
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考题 问答题为了形成具有一定阻值的多晶硅电阻，对多晶硅的掺杂有何要求？
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考题 单选题做集成电路的多晶硅电阻设计时，要计算每个电阻的阻值，那么电阻的长度是怎样计算的？（）A 整个多晶硅的长度B 多晶硅中两个引线孔中心点的距离C 多晶硅中两个引线孔内侧的距离D 多晶硅中两个引线孔外侧的距离
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考题 问答题沉积多晶硅栅材料采用什么CVD工具，列举多晶硅作为栅电极的6个原因。
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考题 单选题在做集成电路的多晶硅电容设计时，要计算每个电容的容值，那么电容的面积大小是怎样计算的？（）A 第一层多晶硅的面积B 第二层多晶硅的面积C 二层多晶硅重叠后的面积
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考题 判断题黄河谷地是青海省内水电资源最为丰富的地区，黄河下游的水电阶梯开发主要集中在这一河段。A 对B 错
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考题 判断题对钢铁、水泥制造、平板玻璃、多晶硅、煤化工、风电设备六大产能过剩行业的新开工项目，授信必须由总行统一审批。（）A 对B 错
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