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什么是多晶硅？

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考题 低温多晶硅TFT技术的最大优势是什么?
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考题 硅提纯及制备工艺流程正确的是()。 A、石英砂-西门子法多晶硅-金属硅-直拉单晶硅B、金属硅-石英砂-西门子法多晶硅-直拉单晶硅C、石英砂-金属硅-西门子法多晶硅-直拉单晶硅D、西门子法多晶硅-石英砂-金属硅-直拉单晶硅
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考题 能够从上述资料中推出的是：A.2015年1月多晶硅进口价格约为200美元/千克 B.2015年多晶硅进口金额超过25亿美元 C.2015年多晶硅进口量曾连续3个月环比下降 D.2015年有一半的月份多晶硅进口量高于1万吨
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考题 多晶硅栅极刻蚀最大的挑战就是对（）的高选择性。超薄的栅氧化层使得在刻蚀多晶硅电极时对栅氧化层的刻蚀要尽可能的小。A、二氧化硅B、氮化硅C、单晶硅D、多晶硅
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考题 多晶硅铸模的制造成技术有哪些？
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考题 太阳能电池产业链由以下五个环节组成，其中进入壁垒最高的是（）。A、高纯多晶硅原料生产B、单晶硅拉制或多晶硅定向浇铸C、硅片切割D、电池芯片生产
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考题 含硅量≥99.9999999%的多晶硅废
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考题 问答题哪种化学气体通常用来刻蚀多晶硅，为什么这种化学气体替代了氟基化学气体？
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考题 问答题在MOS及双极型器件中，多晶硅可用来做什么？
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考题 单选题青海黄河水电多晶硅项目是我国第几套电子级多晶硅项目（）A 一B 二C 三D 四
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考题 问答题哪种化学气体经常用来刻蚀多晶硅？描述刻蚀多晶硅的三个步骤。
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考题 问答题为了形成具有一定阻值的多晶硅电阻，对多晶硅的掺杂有何要求？
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考题 单选题做集成电路的多晶硅电阻设计时，要计算每个电阻的阻值，那么电阻的长度是怎样计算的？（）A 整个多晶硅的长度B 多晶硅中两个引线孔中心点的距离C 多晶硅中两个引线孔内侧的距离D 多晶硅中两个引线孔外侧的距离
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考题 问答题开发多晶硅技术解决了什么问题？
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考题 问答题简述沉积多晶硅采用什么CVD工具？掺杂的Poly－Si的主要用途。写出掺杂的Poly－Si做栅电极的6个原因。
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考题 单选题在做集成电路的多晶硅电容设计时，要计算每个电容的容值，那么电容的面积大小是怎样计算的？（）A 第一层多晶硅的面积B 第二层多晶硅的面积C 二层多晶硅重叠后的面积
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