考题
硅基二极管的正向导通电压一般为0.7V。()
此题为判断题(对，错)。
考题
硅二极管死区电压为0.5V,导通电压为0.7V。()
此题为判断题(对，错)。
考题
某二极管的正向电压为1V时电流为40mA,这时二极管的直流内阻是多少?若又知道正向电压的变化为0.8V时的电流变化为20mA,则二极管的交流内阻是多少?
考题
设二极管为理想二极管,反向击穿电压为20V,R为1kΩ,E为5V,求UD、UR、I?()
A.5B.10C.15D.20
考题
某元件电抗在基准容量Sd和基准电压Ud下的标幺值电抗为X*，若基准电压不变，基准容量扩大n倍，其标幺值电抗为（）AX*BX*/nCnX*Dn2X*
考题
某台标称范围为0-150V的电压表，当其示值为100.0V时，测得电压的实际值为99.4V，求该电压表在示值为100.0V处的引用误差和相对误差。
考题
二极管的反向饱和电流在20℃时为5μA，温度每升高10℃，其反向饱和电流值增大一倍，当温度为40℃时，反向饱和电流为（）。A、10μAB、15μAC、20μAD、40μA
考题
小电流硅二极管的死区电压约为（），正向压约为0.7V。A、0.4VB、0.5VC、0.6VD、0.7V
考题
某元件电抗在基准容量Sd和基准电压Ud下的标幺值电抗为X*，若基准电压不变，基准容量扩大n倍，其标幺值电抗为（）A、X*B、X*/nC、nX*D、n2X*
考题
二极管处于导通状态时，二极管的压降（）。A、为零B、硅管0.7V，锗管0.3VC、等于电路电压D、电压不变
考题
设二极管为理想二极管，反向击穿电压为20V，R为1kΩ，E为5V，求UD、UR、I？（）A、5B、10C、15D、20
考题
设二极管的端电压为U，则二极管的电流方程是（）A、I=SeUB、I=U/RC、I=Is*（（e，Ud/Ut）-1）
考题
某单相桥式整流电路，变压器二次侧电压为 U2，当负载开路时，整流输出电压为（）。A、0.9U2B、U2C、22UD、0.45U2
考题
若一稳压管的电压温度系数为正值，当温度升高时，稳定电压Uv将（）。A、增大B、减小C、不变D、不能确定
考题
二极管的正向特性明显分为两个区域，分别是（）和（）区；对硅管而言，这两个区的电压大致为（）和0.7V。
考题
若一稳压管的电压温度系数为正值，当温度升高时，稳定电压U，将（）A、减小B、不变C、增大
考题
热电偶的冷端也称参比端，在用热电偶测温时参比端温度要保持恒定，当参比端温度不是0℃时，测得的温度应加上参比端的温度才是真正的待测温度。
考题
若一稳压管的电压温度系数为正值，当温度升高时，稳定电压Uv将（）。
考题
硅二极管上外加正向电压很低时，正向电流几乎为零。只有在外加电压达到约（）时，正向电流才明显增加，这个电压称为硅二极管的门坎电压。A、0.3VB、0.2VC、0.5VD、0.7V
考题
半桥逆变电路中，若直流输入电压为Ud，则输出电压的最大值Um=（）。A、UdB、Ud/2C、2UdD、Ud/3
考题
全桥逆变电路中，若直流输入电压为Ud，则输出电压的最大值Um=（）。A、UdB、Ud/2C、2UdD、3Ud
考题
锗二极管的正向导通电压为（）。A、0.3V左右B、0.6V左右C、0.8V左右D、0.7V左右
考题
填空题若一稳压管的电压温度系数为正值，当温度升高时，稳定电压Uv将（）。
考题
问答题某台标称范围为0-150V的电压表，当其示值为100.0V时，测得电压的实际值为99.4V，求该电压表在示值为100.0V处的引用误差和相对误差。
考题
判断题硅二极管的导通电压是0.7V（）A
对B
错