考题
硅二极管的死区电压约为()伏。
A、0.1B、0.7C、0.2D、0.5
考题
二极管的基本特性是______,硅管导通时正向压降约为______V。
考题
硅二极管死区电压为0.5V,导通电压为0.7V。()
此题为判断题(对,错)。
考题
二极管的电压—电流关系可简单理解为()导通,()截止的特性。导通后,硅管管压降约为(),锗管管压降约为()。
考题
常温下,硅二极管在导通后较大电流下的正向压降约为()V。
A.0.1B.0.3C.0.5D.0.7
考题
小电流硅二级管的死区电压为0.5V。正向压降为0.7V。
考题
硅半导体二极管的死区电压约为()。A、0.2VB、1.2VC、0.5VD、1.5V
考题
二极管的伏安特性上有一个死区电压。什么是死区电压?硅管和锗管的死区电压的典型值约为多少?
考题
常温下,硅二极管在导通后较大电流下的正向压降约为()V。A、0.1B、0.3C、0.5D、0.7
考题
硅二极管的死区电压约为()。A、0.2B、0.3C、0.5D、0.7
考题
二极管处于正向导通时,其正向压降变化不大,硅管约为(),锗管约为()
考题
二极管伏安特性上有一个死区电压。什么是死区电压?硅管和锗管的死区电压的典型值约为多少?
考题
硅管的死区电压约为()V,锗管的死区电压约为()V。
考题
常温下,硅二极管导通后在较大电流下的正向压降约为()V;锗二极管导通后在较大电流下的正向压降约为()V。
考题
晶体二极管导通时的正向压降:硅管约为()V,锗管约为()V。通常硅二极管的死区电压约为()V,锗二极管的死区电压约为()V。
考题
硅二极管的死区电压约为()V,锗二极管的死区电压约为()V。
考题
在常温下,硅二极管的开启电压约为(),导通后在较大电流下的正向压降约为()。
考题
二极管具有()向导电性,两端加上正向电压时有一段“死区电压”,锗管约为()V;硅管约为()V。
考题
二极管当正向电压超过UVD后,二极管开始导通。正常导通时,二极管的正向管压降很小,硅管约为(),锗管约为()。
考题
在常温下,硅二极管的门槛电压约为(),导通后在较大电流下的正向压降约为();锗二极管的门槛电压约为(),导通后在较大电流下的正向压降约为()。
考题
普通硅二极管的正向导通压降范围大约为()V,在工程估算中一般取()V;锗二极管的正向导通压降范围大约为()V,在工程估算中一般取()V。发光二极管的正向导通压降范围大约为()V。
考题
硅二极管上外加正向电压很低时,正向电流几乎为零。只有在外加电压达到约()时,正向电流才明显增加,这个电压称为硅二极管的门坎电压。A、0.3VB、0.2VC、0.5VD、0.7V
考题
硅二极管和锗二极管的死区电压的典型值约为多少?
考题
问答题二极管的伏安特性上有一个死区电压。什么是死区电压?硅管和锗管的死区电压的典型值约为多少?
考题
填空题常温下,硅二极管导通后在较大电流下的正向压降约为()V;锗二极管导通后在较大电流下的正向压降约为()V。
考题
判断题硅二极管的正向电压约为0.2V。()A
对B
错