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防止电压上升率过大造成误导通的实用办法,是在每个桥臂串一个()。

  • A、空心电抗器
  • B、硒堆保护
  • C、阻容保护
  • D、压敏电阻

参考答案

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考题 逆变桥由4个晶闸管组成。每个晶闸管均串有空心电感以限制晶闸管导通时的() A、电流变化B、电流上升率C、电流上升D、电流

考题 如果通过晶闸管的通态电流上升率过大,而其他一切满足规定条件时,则晶闸管将()。 A、误导通B、有可能因局部过热而损坏C、失控D、关闭

考题 防止电压上升率过大造成误导通的实用办法,是在每个桥臂串一个()ls。 A.空心电抗器B.硒堆保护C.阻容保护D.压敏电阻

考题 晶闸管的动态参数有断态电压临界上升率du/dt和通态电流临界上升率等,若du/dt过大,就会使晶闸管出现______,若di/dt过大,会导致晶闸管______。

考题 停止加热时,为什么还要定期交换空气和废气?()A、防止相邻立火道因停煤气而造成温差过大B、防止相邻蓄热室的温差过大C、串漏的荒煤气,可以避免在上升号火道会产生燃烧D、防止相邻炭化室因停煤气而造成温差过大

考题 经常清扫上升管、桥管、集气管,避免由于堵塞而造成()内压力过大。

考题 单相半桥逆变器(电压型)的每个导电臂由一个电力晶体管和一个()组成二极管。A、串联B、反串联C、并联D、反并联

考题 造成晶闸管误导通的主要原因有()。 A、通过晶闸管的通态电流上升率过大B、通过晶闸管的通态电流上升率过小C、干扰信号加于控制板D、加到晶闸管阳极上的电压上升率过大E、加到晶闸管阳极上的电压上升率过小

考题 对于小容量晶闸管,在其控制极和阴极之间加一并联(),也可对电压上升率过大引起晶闸管误导通起到良好的抑制作用。A、电阻B、电抗C、电感D、电容

考题 逆变桥由晶闸管VT7~VT10组成。每个晶闸管均串有空心电感以限制晶闸管导通时的()。A、电流变化B、电流上升率C、电流上升D、电流

考题 造成晶闸管误导通的原因有两个:一是干扰信号加于门极,二是加到晶闸管上的电压上升率过大。

考题 交流电压变送器的全波桥式整流电路中,每个桥臂采用两个二极管串接组成。

考题 试说明动态参数通态电流临界上升率di/dt和断态电压临界上升率du/dt的意义。

考题 电压型半桥、全桥逆变电路中,为了防止同桥臂开关管直通而引起直流侧电源的短路,同桥臂两个开关管必须采取先断后通的方法。

考题 三相电压型逆变电路每个桥臂的导电角是()度。A、60B、120C、180D、240

考题 并联电容器组的接线方式应符合下列规定()。A、应采用星型接线B、每个串联段的电容器并联总容量不应超过3900kvarC、每相或者每个桥臂应采用先并后串的方式D、每相或者每个桥臂应采用先串后并的方式

考题 若加到晶闸管两端电压的上升率过大,就可能造成晶闸管误导通。

考题 通过晶闸管的通态电流上升率过大,可能会造成晶闸管因局部过热而损坏,而加到晶闸管阳极上的电压上升率过大,可能会造成晶闸管的()。     A、误导通B、短路C、失控D、不能导通

考题 采用电压上升率du/dt限制办法后,电压上升率与桥臂交流电压()成正比的作用。A、有效值B、平均值C、峰值D、瞬时值

考题 造成在不加门极触发控制信号,即能使晶闸管从阻断状态转为导通状态的非正常转折有二种因素。一是阳极的电压上升率du/dt太快,二是()。A、门极电压过高B、阳极电压过高C、阴极电压过高D、阳极电压过低

考题 问答题试说明动态参数通态电流临界上升率di/dt和断态电压临界上升率du/dt的意义。

考题 填空题经常清扫上升管、桥管、集气管,避免由于堵塞而造成()内压力过大。

考题 单选题三相电压型逆变电路每个桥臂的导电角是()度。A 60B 120C 180D 240

考题 填空题晶闸管的动态参数有断态电压临界上升率du/dt和通态电流临界上升率等,若du/dt过大,就会使晶闸管出现(),若di/dt过大,会导致晶闸管()。

考题 判断题电压型半桥、全桥逆变电路中,为了防止同桥臂开关管直通而引起直流侧电源的短路,同桥臂两个开关管必须采取先断后通的方法。A 对B 错

考题 单选题电桥使用的电池电压超过电桥说明书上的要求得规定值,将造成电桥的()。A 灵敏度上升B 灵敏度下降C 桥臂电阻被烧坏D 检流计被击穿

考题 单选题KP-2A型控制箱激磁回路中()--SCR1的阻容保护回路,并能限制SCR1的电压上升,防止其误导通,C2能吸收电压高波,防止突升电压击穿SCR1。R14是为限制C2放电电流并耗散其能量而设定的。A SCR1B D4、D6、SCR1C D7D C2、R14