考题
上釉的烧结温度是( )。A.低于体瓷烧结温度5℃B.低于体瓷烧结温度10℃C.高于体瓷烧结温度5℃D.高于体瓷烧结温度10℃E.以上均不正确
考题
若采用体瓷、透明瓷自身上釉，烧结温度是( )。A.低于体瓷烧结温度5℃B.低于体瓷烧结温度10℃C.高于体瓷烧结温度5℃D.高于体瓷烧结温度10℃E.以上均不正确
考题
PFM冠上釉时的炉温是A、与体瓷的烧结温度相同B、低于体瓷烧结温度6～8℃C、低于体瓷烧结温度10～20℃D、高于体瓷烧结温度6～8℃E、高于体瓷烧结温度10～20℃
考题
烧结料层温度按分布所发生物理、化学反应分为( )层。A.4B.5C.6D.3
考题
生料加热煅烧控制所必须的最少的液相量时的温度叫（）。A、开始烧结温度B、烧结温度C、要求烧结温度
考题
烧结温度是指烧结料层中某一点达到的（）。A、点火温度B、最高温度C、平均温度
考题
挤压按坯料的变形温度不同可分为（）、（）和（）。
考题
挤压按照坯料的变形温度不同可以分为热挤压、冷挤压和（）三类。
考题
按照挤压时坯料的温度状态可分为（）、（）和（）。
考题
若采用体瓷、透明瓷自身上釉，烧结温度是（）。A、低于体瓷烧结温度5℃B、低于体瓷烧结温度10℃C、高于体瓷烧结温度5℃D、高于体瓷烧结温度10℃E、以上均不正确
考题
上釉的烧结温度是（）。A、低于体瓷烧结温度5℃B、低于体瓷烧结温度10℃C、高于体瓷烧结温度5℃D、高于体瓷烧结温度10℃E、以上均不正确
考题
烧结点火温度原则上应低于烧结料熔化温度而接近物料的软化温度。
考题
烧结料层温度按分布所发生物理、化学反应分为（）层。A、4B、5C、6D、3
考题
锻造按坯料加工时的温度可分为几中形式？简述它们的区分方法。
考题
长石质坯釉主要原料都是粘土，石英，长石，试说明粘土，长石，石英对坯料烧成温度和对釉料成熟温度的影响以及石英含量对瓷坯性能的影响。
考题
简述烧结、烧成、烧成温度、烧成温度、液相烧结和固相烧结的定义。
考题
挤压方法中，坯料加热温度在再结晶温度以上的是（）。
考题
挤压时坯料变形温度高于金属材料的再结晶温度，与锻造温度相同。
考题
烧结温度至（）之间的温度区间称为烧结温度范围。
考题
填空题按照挤压时坯料的温度状态可分为（）、（）和（）。
考题
填空题挤压按坯料的变形温度不同可分为（）、（）和（）。
考题
问答题简述烧结、烧成、烧成温度、烧成温度、液相烧结和固相烧结的定义。
考题
单选题若采用体瓷、透明瓷自身上釉，烧结温度是（）。A
低于体瓷烧结温度5℃B
低于体瓷烧结温度10℃C
高于体瓷烧结温度5℃D
高于体瓷烧结温度10℃E
以上均不正确
考题
填空题烧结温度至（）之间的温度区间称为烧结温度范围。
考题
填空题挤压按照坯料的变形温度不同可以分为热挤压、冷挤压和（）三类。
