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如果通过晶闸管的通态电流上升率过大,而其它一切满足规定条件时,则晶闸管将()。

  • A、误导通
  • B、有可能因局部过热而损坏
  • C、失控
  • D、关闭

参考答案

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考题 逆变桥由4个晶闸管组成。每个晶闸管均串有空心电感以限制晶闸管导通时的() A、电流变化B、电流上升率C、电流上升D、电流

考题 如果通过晶闸管的通态电流上升率过大,而其他一切满足规定条件时,则晶闸管将()。 A、误导通B、有可能因局部过热而损坏C、失控D、关闭

考题 晶闸管的动态参数有断态电压临界上升率du/dt和通态电流临界上升率等,若du/dt过大,就会使晶闸管出现______,若di/dt过大,会导致晶闸管______。

考题 晶闸管刚刚由断态转入通态并去掉触发门极信号后,仍能保持其导通状态的最小阳极电流称为()。A、通态平均电流IT(AV)B、维持电流IHC、擎住电流ILD、通态浪涌电流ITSM

考题 晶闸管的额定电流(通态平均电流)为100A,问该晶闸管能否超过100A使用?为什么?

考题 晶闸管刚从断态转入通态并移除触发信号后,能维持导通所需的最小电流是()。A、通态平均电流B、维持电流C、擎住电流D、浪涌电流

考题 由通态到断态,能够维持晶闸管元件导通的最小阳极电流叫做擎住电流。

考题 造成晶闸管误导通的主要原因有()。 A、通过晶闸管的通态电流上升率过大B、通过晶闸管的通态电流上升率过小C、干扰信号加于控制板D、加到晶闸管阳极上的电压上升率过大E、加到晶闸管阳极上的电压上升率过小

考题 逆变桥由晶闸管VT7~VT10组成。每个晶闸管均串有空心电感以限制晶闸管导通时的()。A、电流变化B、电流上升率C、电流上升D、电流

考题 晶闸管的功耗是通态平均电压与通态平均电流的乘积。所以说可控硅的通态平均电压越大越好。

考题 造成晶闸管误导通的原因有两个:一是干扰信号加于门极,二是加到晶闸管上的电压上升率过大。

考题 晶闸管整流元件的额定电流是指它的通态平均电流。

考题 晶闸管元件由断态到通态,脉冲切除后,能够维持元件导通的最小阳极电流叫做()。

考题 晶闸管的维持电流IH是指在()温度条件下,门极断开时,晶闸管从较大通态电流下降到刚好能保持导通所必须的最小()电流。

考题 试说明动态参数通态电流临界上升率di/dt和断态电压临界上升率du/dt的意义。

考题 根据晶闸管通态电流的定义,说明什么是晶闸管的额定电流?

考题 晶闸管元件由通态到断态,能够维持元件导通的最小阳极电流叫做()。

考题 晶闸管的维持电流IH是指在(),门极断开时,晶闸管从较大通态电流下降到刚好能保持导通所必须的最小() 电流。

考题 晶闸管可连续通过的通态平均电流简称()。A、稳态电流B、额定正向平均电流C、反向电流D、平均电流

考题 若加到晶闸管两端电压的上升率过大,就可能造成晶闸管误导通。

考题 通过晶闸管的通态电流上升率过大,可能会造成晶闸管因局部过热而损坏,而加到晶闸管阳极上的电压上升率过大,可能会造成晶闸管的()。     A、误导通B、短路C、失控D、不能导通

考题 晶闸管导通后,通过晶闸管的电流决定于()。A、电路的负载B、晶闸管的通态平均电流C、触发电压D、晶闸管阳阴极间电压

考题 问答题试说明动态参数通态电流临界上升率di/dt和断态电压临界上升率du/dt的意义。

考题 填空题晶闸管的维持电流IH是指在()温度条件下,门极断开时,晶闸管从较大通态电流下降到刚好能保持导通所必须的最小()电流。

考题 填空题晶闸管的动态参数有断态电压临界上升率du/dt和通态电流临界上升率等,若du/dt过大,就会使晶闸管出现(),若di/dt过大,会导致晶闸管()。

考题 填空题晶闸管的维持电流IH是指在(),门极断开时,晶闸管从较大通态电流下降到刚好能保持导通所必须的最小() 电流。

考题 问答题根据晶闸管通态电流的定义,说明什么是晶闸管的额定电流?