考题
下列电力电子器件中，（）的驱动功率小，驱动电路简单。A、普通晶闸管B、可关断晶闸管C、电力晶体管D、功率场控晶体管
考题
下述电力电子器件中，不能用控制信号控制其导通和关断的是（）A、功率二极管B、功率晶体管C、IGBTD、门极关断晶闸管
考题
功率晶体管缓冲保护电路中的二极管要求采用什么方式，以便与功率晶体管的开关时间相配合？
考题
根据国产半导体器件命名方法可知，3DG6为（）A、NPN型低频小功率硅晶体管B、NPN型高频小功率硅晶体管C、PNP型低频小功率锗晶体管D、NPN型低频大功率硅晶体管
考题
桓流驱动电路中加速电容C的作用是（）。A、加快功率晶体管的开通B、延缓功率晶体管的关断C、加深功率晶体管的饱和深度D、保护器件
考题
为了利于功率晶体管的关断，驱动电流后沿应是（）。
考题
恒流驱动电路中，电容C的作用是（）。A、加快功率晶体管开通B、延缓功率晶体管关断C、加深功率晶体管的饱和深度D、保护器件
考题
恒流驱动电路中接上反偏驱动电路的主要作用是（）。A、加速功率管关断B、加速功率晶体管开通C、过电流保护D、减小延迟时间
考题
根据国产半导体器件型号的命名方法可知，3DG6为（）。A、NPN型低频小功率硅晶体管B、NPN型高频小功率硅晶体管C、PNP型低频小功率锗晶体管D、NPN型低频大功率硅晶体管
考题
对于功率晶体管的基极驱动电路，驱动电流的后沿应是一个较大的负电流，以利于功率晶体管的（）。A、导通B、寿命C、关断D、饱和
考题
为限制功率晶体管的饱和深度，减少存储时间，桓流驱动电路经常采用（）。A、du/dt抑制电路B、抗饱和电路C、di/dt抑制电路D、吸收电路
考题
功率晶体管的驱动电路一般有两种类型，即恒流驱动和（）。A、变流驱动B、变压驱动C、比例驱动D、补偿驱动
考题
试说明绝缘栅双极型晶体管驱动电路与大功率晶体管及功率场效应晶体管驱动电路的异同点。
考题
为限制功率晶体管的饱和深度，减小存储时间，恒流驱动电路经常采用（）。A、抑制电路B、抗饱和电路C、吸收电路
考题
为了利用功率晶体管的关断，驱动电流后沿应是（）。
考题
为限制功率晶体管的饱和深度，减小存储时间，恒流驱动电路经常采用（）。A、du/dt抑制电路B、抗饱和电路C、di/dt抑制电路D、吸收电路
考题
功率晶体管的驱动电路，一般有恒流驱动电路和（）驱动电种型。A、微分B、积分C、比例D、PID
考题
恒流驱动电路中截上反偏驱动电路的主要作用是（）。A、加速功率管关断B、加速功率晶体管开通C、过电流保护D、减小延迟时间
考题
单选题对于功率晶体管的基极驱动电路，驱动电流的后沿应是一个较大的负电流，以利于功率晶体管的（）。A
导通B
寿命C
关断D
饱和
考题
单选题功率晶体管的驱动电路一般有两种类型，即恒流驱动和（）。A
变流驱动B
变压驱动C
比例驱动D
补偿驱动
考题
问答题功率晶体管缓冲保护电路中的二极管要求采用什么方式，以便与功率晶体管的开关时间相配合？
考题
填空题为了利于功率晶体管的关断，驱动电流后沿应是（）。
考题
单选题桓流驱动电路中加速电容C的作用是（）。A
加快功率晶体管的开通B
延缓功率晶体管的关断C
加深功率晶体管的饱和深度D
保护器件
考题
填空题为了利用功率晶体管的关断，驱动电流后沿应是（）。
考题
单选题为限制功率晶体管的饱和深度，减小存储时间，恒流驱动电路经常采用（）。A
抑制电路B
抗饱和电路C
吸收电路
考题
问答题试说明绝缘栅双极型晶体管驱动电路与大功率晶体管及功率场效应晶体管驱动电路的异同点。
考题
单选题为限制功率晶体管的饱和深度，减少存储时间，桓流驱动电路经常采用（）。A
du/dt抑制电路B
抗饱和电路C
di/dt抑制电路D
吸收电路