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如果绝缘材料中含有气泡时，在电压升高过程中，介质损耗角tgδ会随电压升高而（）。

  • A、增大
  • B、减小
  • C、不变
  • D、无关

参考答案

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考题 温度升高将使得聚合物绝缘材料的介质损耗值显著增大。()
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考题 电介质的tgδ值（ ）。A.随温度升高而下降 B.随频率增高而增加 C.随电压升高而下降 D.随湿度增加而增加
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考题 什么叫介质损耗？为什么说tgδ（δ为介质损耗角）越大，电介质材料的绝缘性能越差？
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考题 在高于起始放电电压时，绝缘介质的损耗会随电压的增加而（），因此用测量介质损耗的方法，可以探测设备的局部放电，即所谓测量绝缘的（），但这种方法的灵敏度较低。
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考题 交接试验时，当变压器电压等级为35kV及以上，且容量在（）及以上时，应测量介质损耗角正切值tgδA、1000kVAB、8000kVAC、1250kVAD、1600kVA
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考题 在绝缘试验时，通过测量介质损耗角的正切值tanδ来检验介质损耗的大小。
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考题 当设备各部分的电介质损耗用差较大时，综合的tgδ主要代表并联电介质中的（）损耗角正切值。
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考题 油介质损耗角正切tg？的测量，其测试电压为（）。A、3倍额定电压B、2倍额定电压C、1.5倍额定电压D、额定电压
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考题 在一定频率的交流电场中，当一定电压施加给某一绝缘介质时，其损耗与tgδ成正比。
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考题 变压器的空载损耗与电源电压之间的关系是（）。A、空载损耗与电源电压无确定关系B、随电源电压升高空载损耗减小C、随电源电压升高空载损耗增大D、空载损耗不随电源电压变化
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考题 电介质的tgδ值（）。A、随温度升高而下降B、随频率增高而增加C、随电压升高而下降D、随湿度增加而增加
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考题 绝缘良好的电气设备，其tgδ值随电压的升高而（）。
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考题 绝缘材料的绝缘电阻会随温度升高而增大。
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考题 绝缘材料吸潮后致使绝缘材料的（）增大，导致强度降低，有关性能遭到破坏。A、介电常数B、导电损耗C、介质损失角的正切tgδD、机械强度
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考题 介质损失角正切tgδ越大介质损耗越大吗？
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考题 电缆的电压等级越高，绝缘材料的介质损耗角正切值越大。
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考题 耦合电容器的主要参数是（）A、标称电容量Cb和绝缘电阻B、介质损耗因数tgδ和额定电压C、标称电容量Cb和介质损耗因数tgδD、标称电容量Cb和高频等效电阻r
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考题 绝缘介质损耗在某种程度上随外加电压与电源的频率增加而增加。
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考题 介质损耗随温度的增加而增大。这是由于温度高，（）导致介质损耗增加。A、介质中的离子增多B、电导电流增大C、极化过程中分子间隙的阻力增加D、电压降低
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考题 绝缘良好的tgδ不随电压的升高而明显增加。若绝缘内部有缺陷，则其tgδ将随电压的升高而明显增加。
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考题 为了减小电缆发热、减缓绝缘老化速度，要求绝缘材料的介质损耗角正切值（）。A、低B、适中C、高
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考题 为什么说tgδ（δ为介质损耗角）越大，电介质材料的绝缘性能越差？
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考题 关于电容型电流互感器高压介质损测量，下列说法正确的是（）。A、绝缘良好的设备tgδ值不随试验电压的升高而偏大，只在接近额定电压时才略微增加B、绝缘严重受潮的设备在较低的电压下，tgδ值就较大，随着电压的升高tgδ值增大C、发生气隙局放设备达到局放起始放电电压时，tgδ急剧增高D、绝缘中含有离子型杂质的设备，tgδ随电压上升而下降
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考题 问答题什么叫介质损耗？为什么说tgδ（δ为介质损耗角）越大，电介质材料的绝缘性能越差？
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考题 填空题在高于起始放电电压时，绝缘介质的损耗会随电压的增加而（），因此用测量介质损耗的方法，可以探测设备的局部放电，即所谓测量绝缘的（），但这种方法的灵敏度较低。
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考题 单选题电介质的tgδ值（）。A 随温度升高而下降B 随频率增高而增加C 随电压升高而下降D 随湿度增加而增加
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考题 单选题变压器的空载损耗与电源电压之间的关系是（）。A 空载损耗与电源电压无确定关系B 随电源电压升高空载损耗减小C 随电源电压升高空载损耗增大D 空载损耗不随电源电压变化
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