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介损tgδ不能发现的缺陷有（）。

  • A、整体受潮
  • B、劣化
  • C、大体积绝缘的集中性缺陷
  • D、小体积绝缘的集中性缺陷

参考答案

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考题 击穿强度高、介损tgδ小的绝缘油，体积绝缘电阻也一定小。( )
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考题 当测到DW8—35断路器合闸对地的介损tgδ若超过规程规定，则可认为该相两支电容套管的tgδ值也超过规程值。
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考题 测得一台LCWD2—110型110kV电流互感器，其主绝缘介损tgδ值为0.33%；末屏对地的介损介损tgδ值为16.3%，以下几种诊断意见，其中（）哪项是错误的。A、主绝缘良好，可以继续运行B、暂停运行，进一步做油中溶解气体色谱分析及油的水分含量测试C、末屏绝缘介损超标D、不合格
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考题 一般情况下，介损tgδ试验主要反映设备的整体缺陷，而对局部缺陷反映不灵敏。
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考题 当被试品电容量很小，测量其介损tgδ时，介损仪的高压引线与被试品的杂散电容对测量的影响不可忽视。
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考题 绝缘体有缺陷时，其介损tgδ将随试验（）升高而变（）。
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考题 分别测得几个试品的介损值为tgδ1、tgδ2„„tgδn，则并联在一起测得的介损值为这些值中的（）。A、最小值B、平均值C、最大值D、介于最大与最小值之间
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考题 在现场测量介损tgσ时，如果试验电源的电压波形不好，含有较大的（）分量，则电桥很难（）。
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考题 对大型变压器测量绝缘的tgδ%，能发现整个绝缘普遍劣化的缺陷，但不能发现局部缺陷或个别弱点。
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考题 测量变压器整体对地介损tgδ，可采用介损仪正接线及反接线。
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考题 在一般情况下，介损tgδ试验主要反映设备绝缘的整体缺陷，而对局部缺陷反映不灵敏。
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考题 采用末端屏蔽法是测量串级式电压互感器介损tgδ的方法之一。其方法是高压端A加压，X端和底座接地，二、三次短路后，引入介损仪，采用正接线。
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考题 用介损仪反接线测量小电容量试品（＜50PF）的介损tgδ及Cx时，在附近处有物体（如梯子等）情况下测得的电容值较物体拆除拆除后测得的电容值（）。A、大B、相等C、小D、以上均不是
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考题 用反接线测量电磁式电流互感器的介损，一次加压，二次开路，对其测量介损tgδ值影响不大。
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考题 通常把绝缘电阻、泄漏电流、介损tgδ、油的化学性能等的试验叫作绝缘的予防性试验，试说明这些试验项目可以发现的绝缘缺陷的类型。
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考题 在现场测量介损tgδ时，如果试验电源的电压波形不好，含有较大的（）分量，则电桥很难（）。在与电气化铁路距离较近的变电站测量介损tgδ时上述情况尤为严重。
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考题 用QS1交流电桥测量介损tgδ出现负值的主要原因是磁场干扰。
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考题 一台LCWD2-220电流互感器主绝缘的介损tgδ值为0.33%，绝缘电阻10000MΩ，末屏对地绝缘电阻为60MΩ，介损tgδ值16.3%，是否可以继续运行（）。A、可以，主绝缘良好B、不可以，已进水受潮C、观察一段时间
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考题 在现场采用介损仪测量设备的介损tgδ时，若存在电场干扰，则在任意测试电源极性的情况下，所测得tgδ值一定比真实的tgδ增大。
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考题 用反接线方式，测量一台110kV电流互感器主绝缘介损tgδ，如介损仪本体接地不良，与其介损测量结果无关。
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考题 小电容（小于500PF）试品，主要有电容型套管、电容型电流互感器等，对这些试品采用介损仪正、反接线进行测量，测得的介损tgδ值是一样的。
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考题 测量串级式电压互感器介损tgδ的接线方法，有哪几种？
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考题 用QS1电桥测量变压器套管连同绕组一起的介损tgδ，应采用何种接线？如何接线？
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考题 用正接接线方式，测量一台110kV耦合电容器主绝缘介损tgδ，如介损仪的Cx与其耦合电容的末屏（接地小套管）接触不良，影响介损测量结果准确性。
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考题 测量一台110kV电力变压器，高压绕组对中+低压绕组及地介损损tgδ，当tgδ不合格时，一般表明其高压套管tgδ不合格。
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考题 填空题在现场测量介损tgσ时，如果试验电源的电压波形不好，含有较大的（）分量，则电桥很难（）。
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考题 判断题在一般情况下，介损tgδ试验主要反映设备绝缘整体缺陷，而对局部缺陷反映不灵敏。A 对B 错
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