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缓冲电路的基本设计思路是：在器件开通时，使电流缓升;在器件关断时，使电压缓升。()
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考题
如下，关于MOSFET的开关速度，表述正确的是：A．MOSFET不存在少子储存效应，开通关断过程非常迅速。B．MOSFET是场控器件，静态时几乎不需输入电流，开通关断过程时间长。C．MOSFET是场控器件，静态时需输入大电流，开通关断过程时间长。D．MOSFET是场控器件，静态时栅极需输入大电流，开通关断过程非常迅速。
考题
如下关于MOSFET的开关速度，表述正确的是：A．MOSFET不存在少子储存效应，开通关断过程非常迅速。B．MOSFET是场控器件，静态时栅极几乎不需输入电流，开通关断过程时间长。C．MOSFET是场控器件，静态时栅极需输入大电流，开通关断过程时间长。D．MOSFET是场控器件，静态时栅极需输入大电流，开通关断过程非常迅速。
考题
1、在电力电子变换电路分析过程中，通常认为开关器件为理想器件，以下关于理想开关器件的描述，正确的是？A．导通时器件两端管压降较大B．开通与关断过程需要较长时间才能完成C．关断时其反向漏电流较大D．导通时其管压降约等于零
考题
8、关于电力电子器件缓冲电路，表述正确的是下面哪一个？A．缓冲电路又称吸收电路，其作用是吸收电力电子器件的热量。B．缓冲电路又称吸收电路，其作用是使器件的开关速度变为缓慢。C．缓冲电路又称吸收电路，其作用是抑制器件的内因过电压、du/dt、过电流和di/dt，减小器件的开关损耗。D．缓冲电路又称吸收电路，其作用是抑制器件内因过电压、过电流，但并没有减小器件的开关损耗。
考题
关于关断缓冲电路，表述正确的是：A．di/dt抑制电路又称为关断缓冲电路，用于吸收器件的关断过电压和换相过电压。B．du/dt抑制电路又称为关断缓冲电路，用于吸收器件的关断过电压和换相过电压，抑制du/dt，减小关断损耗。C．关断缓冲电路用于抑制器件的电流过冲和di/dt。D．du/dt抑制电路又称为关断缓冲电路，用于吸收器件的关断过电压和换相过电压，抑制du/dt，减小器件的开通损耗。
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