考题
导通缓冲电路,( )。
A、可以用于吸收器件导通时的电流过冲和di/dtB、可以用于抑制器件导通时的电流过冲和di/dtC、可以减小器件的关断损耗D、可以减小器件的导通损耗
考题
缓冲电路的基本设计思路是：()A.在器件开通时，使电压缓升;在器件关断时，使电流缓升B.在器件开通时，使电流缓升;在器件关断时，使电压缓升
考题
缓冲电路的基本设计思路是：在器件开通时，使电流缓升;在器件关断时，使电压缓升。()
考题
全控器件缓冲电路的作用之一是减小开关损耗。()
此题为判断题(对，错)。
考题
变压器漏抗对整流电路的影响有()。A、输出电压平均值降低B、整流电路的工作状态增多C、晶闸管的di/dt减小D、换相时晶闸管电压出现缺口
考题
写出如图空心变压器的输入的特性方程为()。A、u1=L1(di1/dt)+M(di2/dt)B、u1=L1(di1/dt)-M(di2/dt)C、其它
考题
交流电路中对电感元件uL=L(di/dt)总成立。
考题
据楞次定律可知，线圈的电压与电流满足（）关系。A、（di/dt）0时，eL0B、（di/dt）0时，eL0C、（di/dt）0时，eL0D、（di/dt）0时，eL0
考题
在资管系统中申请一条OLT上行电路时，应在哪个模块下申请（）A、LTE基站电路开通模块B、集团客户电路开通模块C、业务电路开通模块D、基站电路开通模块
考题
缓冲电路的作用是防止器件产生过电流和在器件上产生（）而设置的电路。
考题
下列特点中，不属于采用强触发脉冲优点的是（）A、可以改变晶闸管的开通时间B、有利于改善串并联器件的动态均压和均流C、提高晶闸管的承受（di/dt）能力D、不可以改变晶闸管的开通时间
考题
桓流驱动电路中加速电容C的作用是（）。A、加快功率晶体管的开通B、延缓功率晶体管的关断C、加深功率晶体管的饱和深度D、保护器件
考题
恒流驱动电路中，电容C的作用是（）。A、加快功率晶体管开通B、延缓功率晶体管关断C、加深功率晶体管的饱和深度D、保护器件
考题
关断缓冲电路与开通缓冲电路各自的功能是什么？
考题
为限制功率晶体管的饱和深度，减少存储时间，桓流驱动电路经常采用（）。A、du/dt抑制电路B、抗饱和电路C、di/dt抑制电路D、吸收电路
考题
为了减小电力电子器件本身的损耗提高效率，电力电子器件一般都工作在（），但是其自身的功率损耗（开通损耗、关断损耗）通常任远大于信息电子器件，在其工作是一般都需要安装（）。
考题
电力电子器件的缓冲电路用来减小器件在开关过程中产生的过压、过流、过热、du/dt和di/dt，确保器件安全可靠运行。说出几种典型的缓冲吸收电路及其用途。
考题
GTO的门极驱动电路包括（）。 A、开通电路B、关断电路C、反偏电路D、缓冲电路E、抗饱和电路
考题
为限制功率晶体管的饱和深度，减小存储时间，恒流驱动电路经常采用（）。A、du/dt抑制电路B、抗饱和电路C、di/dt抑制电路D、吸收电路
考题
恒流驱动电路中，加速电容C的作用是（）。A、加快功率晶体管开通B、延缓功率晶体管关断C、加深功率晶体管的饱和深度D、保护器件
考题
填空题现代直流快速开关的开断能力可达（）kA，此时直流主电路电流突变率di／dt为（）A／s。
考题
填空题为了减小电力电子器件本身的损耗提高效率，电力电子器件一般都工作在（），但是其自身的功率损耗（开通损耗、关断损耗）通常任远大于信息电子器件，在其工作是一般都需要安装（）。
考题
多选题导通缓冲电路，（）。A可以用于吸收器件导通时的电流过冲和di/dtB可以用于抑制器件导通时的电流过冲和di/dtC可以减小器件的关断损耗D可以减小器件的导通损耗
考题
多选题据楞次定律可知，线圈的电压与电流满足（）关系。A（di/dt）0时，eL0B（di/dt）0时，eL0C（di/dt）0时，eL0D（di/dt）0时，eL0
考题
问答题关断缓冲电路与开通缓冲电路各自的功能是什么？
考题
问答题电力电子器件的缓冲电路用来减小器件在开关过程中产生的过压、过流、过热、du/dt和di/dt，确保器件安全可靠运行。说出几种典型的缓冲吸收电路及其用途。
考题
单选题为限制功率晶体管的饱和深度，减少存储时间，桓流驱动电路经常采用（）。A
du/dt抑制电路B
抗饱和电路C
di/dt抑制电路D
吸收电路