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（请给出正确答案）
如下，关于MOSFET的开关速度，表述正确的是：
A．MOSFET不存在少子储存效应，开通关断过程非常迅速。
B．MOSFET是场控器件，静态时几乎不需输入电流，开通关断过程时间长。
C．MOSFET是场控器件，静态时需输入大电流，开通关断过程时间长。
D．MOSFET是场控器件，静态时栅极需输入大电流，开通关断过程非常迅速。
参考答案和解析
MOSFET 不存在少子储存效应，开通关断过程非常迅速。
更多 “如下，关于MOSFET的开关速度，表述正确的是：A．MOSFET不存在少子储存效应，开通关断过程非常迅速。B．MOSFET是场控器件，静态时几乎不需输入电流，开通关断过程时间长。C．MOSFET是场控器件，静态时需输入大电流，开通关断过程时间长。D．MOSFET是场控器件，静态时栅极需输入大电流，开通关断过程非常迅速。” 相关考题
考题
单选题GTR、SCR、GTO、TRIAC、MOSFET、IGBT中，哪些是开关电源中变压器常用的驱动元件（）。A
GTO和GTR；B
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考题
填空题IGBT 的开启电压UGE（th）随温度升高而（），开关速度（）电力MOSFET 。
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