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GTR存在二次击穿现象。()

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考题 P-MOSFET存在二次击穿现象。()
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考题 什么是GTR的二次击穿现象以及二次击穿的危害。
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考题 由于电力二极管中存在(),使其正向导通通过大电流时,能保持较低的电压降。A、擎住效应B、二次击穿C、雪崩击穿D、电导调制效应
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考题 带电作业绝缘工具电气预防性试验中，操作冲击试验以（ ）为合格（采用250/2500μs的标准波）。 A.无二次击穿、闪络 B. 无二次击穿 C. 无一次击穿、闪络 D. 无一次击穿
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考题 运行中的电流互感器二次开路后可能出现（）的危险现象。A一次电压指示升高B二次电流指示为零C噪声增大D绝缘击穿
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考题 电力场效应管MOSFET不存在二次击穿的问题。（）
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考题 31、功率晶体管GTR从高电压小电流向低电压大电流跃变的现象称为（）A．一次击穿B．二次击穿C．临界饱和D．反向截止
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考题 3、电力晶体管（GTR）的安全工作区由（）线限定.A．最高电压UceMB．集电极最大电流IcMC．最大耗散功率PcMD．二次击穿临界线
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考题 GTR的安全工作区是由 围成的区域A．最高工作电压B．集电极最大允许电流C．集电极最大耗散功率D．二次击穿功率
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