考题
有关电力MOSFET的说法错误的是()。
A.属于电压控制器件B.开关速度慢C.工作频率高D.无二次击穿问题
考题
SIT是一种______的器件,其工作频率与电力MOSFET______,而功率容量比电力MOSFET______,因而适用于______场合。
考题
功率场效应管的通态电阻是指MOSFET导通时，漏源极电压与栅极电流的比值。
考题
使用功率MOSFET时要注意（）。A、防止静电击穿B、防止二次击穿C、MOSFET不能承受反压D、栅源过电压保护
考题
电力场效应管MOSFET在使用时要防止静电击穿。
考题
电力场效应管MOSFET适于在（）条件下工作。A、直流B、低频C、中频D、高频
考题
电力场效应管MOSFET（）现象。A、有二次击穿B、无二次击穿C、防止二次击穿D、无静电击穿
考题
电力场效应管MOSFET是理想的电压控制器件。
考题
电力场效应管MOSFET是理想的（）控制器件。A、电压B、电流C、电阻D、功率
考题
电力场效应管MOSFET适合于在（）条件下工作。A、直流B、低频C、中频D、高频
考题
功率MOSFET是一种（）器件，具有驱动功率小，工作速度快，无二次击穿和安全区宽等特点。
考题
关于二次击穿，以下说法正确的是（）。A、大功率晶体管GTR不会发生二次击穿B、功率MOSFET不会发生二次击穿C、二次击穿可能使器件永久性损坏D、二次击穿的过程很短暂
考题
UGS=0时，能够工作在恒流区的场效应管有：（）。A、JFETB、增强型MOSFETC、耗尽型MOSFET
考题
MOS场效应管的英语缩写是（）。A、“IGBT”B、“BJT”C、“GTO”D、“MOSFET”
考题
电力场效应晶体管（电力MOSFET）（）现象。A、有二次击穿B、无二次击穿C、防止二次击穿D、无静电击穿
考题
试解释为什么GTR有二次击穿现象，而Power MOSFET没有。
考题
电力晶体管在使用时，要防止（）。A、二次击穿B、静电击穿C、时间久而失效D、工作在开关状态
考题
电力场效应管（MOSFET）是利用改变电场来控制固体材料导电能力的有源器件，属于（）。
考题
电力场效应管MOSFET在使用和存放时，要防止（）A、时间久而失效B、二次击穿C、静电击穿D、饱和
考题
下列器件中，会发生二次击穿现象的有（）A、GTOB、功率晶体管C、功率场效应管D、1GBT
考题
单选题电力场效应晶体管（电力MOSFET）（）现象。A
有二次击穿B
无二次击穿C
防止二次击穿D
无静电击穿
考题
问答题功率场效应管（MOSFET）的特点有哪些？
考题
填空题功率MOSFET是一种（）器件，具有驱动功率小，工作速度快，无二次击穿和安全区宽等特点。
考题
问答题试解释为什么GTR有二次击穿现象，而Power MOSFET没有。
考题
单选题MOS场效应管的英语缩写是（）。A
“IGBT”B
“BJT”C
“GTO”D
“MOSFET”