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GTR的安全工作区是由 围成的区域
A.最高工作电压
B.集电极最大允许电流
C.集电极最大耗散功率
D.二次击穿功率
参考答案和解析
最高电压UceM;集电极最大电流IcM;最大耗散功率PcM;二次击穿临界线
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考题
肩胛第5区(肩胛外下区)即()区域。
A、魄户、膏肓、神堂、鐿嬉、膈关连线与肩胛内缘的区域B、大椎、陶道、附分、魄户四穴之间的区域C、由天宗、嚅俞、肩贞围成的三角形区域D、由肩中俞、肩井、曲垣、魄户穴连线围成E、由肩井穴、曲垣穴与巨骨穴围成的三角区域
考题
MOSFET的漏极伏安特性中的三个区域与GTR共发射极接法时的输出特性中的三个区域有对应关系,其中前者的截止区对应后者的()、前者的饱和区对应后者的()、前者的非饱和区对应后者的()。
考题
多选题下列选项中可以被转化为视口的对象有()。A由直线围成的闭合区域B由样条曲线围成的闭合区域C两端封口的多线D具有多个顶点的闭合云线
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