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晶体三极管由()PN结组成,分成基区、发射区和集电区。

A、一个

B、两个

C、三个

D、四个

参考答案

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考题 关于BJT的结构特点说法错误的是()。A、基区很薄且掺杂浓度很低B、发射区的掺杂浓度远大于集电区掺杂浓度C、基区的掺杂浓度远大于集电区掺杂浓度D、集电区面积大于发射区面积
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考题 位于集电区与基区之间的PN结称为()。A、基极B、发射结C、集电结D、以上选项均不正确
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考题 关于BJT的结构特点，以下说法错误的是（)A．基区很薄，掺杂浓度很低B．发射区的掺杂浓度远大于集电区C．基区的掺杂浓度远大于集电区D．集电区面积大于发射区面积
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考题 NPN型和PNP型晶体管的集电区和基区间的PN结称为发射结
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考题 晶体三极管中掺杂浓度最低的是（）。A．集电区B．基区C．发射区D．视情况而定
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考题 双极型晶体管的制作工艺流程中，首先制备的是 ，其次制备的是 ，最后制备的是A．集电区、基区、发射区B．基区、发射区、集电区C．栅区、源区、漏区D．基区、集电区
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考题 4、关于BJT的结构特点，以下说法错误的是（)A．基区很薄，掺杂浓度很低B．发射区的掺杂浓度远大于集电区C．基区的掺杂浓度远大于集电区D．集电区面积大于发射区面积
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考题 1、在异质结双极型晶体管中，通常用（）。A．窄禁带材料制作发射区，用宽禁带材料制作基区B．宽禁带材料制作基区区，用窄禁带材料制作集电区C．窄禁带材料制作基区，用宽禁带材料制作集电区D．宽禁带材料制作发射区，用窄禁带材料制作基区
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