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晶体三极管中掺杂浓度最低的是（）。

A．集电区

B．基区

C．发射区

D．视情况而定

参考答案和解析
C
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考题 药敏实验中，MIC含义是A、最低杀菌浓度B、最高杀菌浓度C、最低抑菌浓度D、最高抑菌浓度E、最低稀释度
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考题 在晶体三极管中掺杂浓度最高的区域是（）。A、基区B、集电区C、发射区D、饱和区
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考题 三极管具有（）的特点。A、发射区的掺杂浓度远大于基区的掺杂浓度B、基区非常薄C、集电区掺杂浓度较小，集电结的面积比发射结的面积大D、以上三项
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考题 晶体三极管放大作用需满足的条件有（）。A、内部条件，基区掺杂浓度小于发射区掺杂浓度B、内部条件，基区掺杂浓度大于发射区掺杂浓度C、外部条件，发射结正偏，集电结反偏D、外部条件，发射结反偏。集电结反偏
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考题 硅的电阻率与掺杂浓度有关。
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考题 根据晶体管的结构特点，（）区的掺杂浓度最低。（）区的掺杂浓度最高。
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考题 杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于（）。A、温度B、掺杂工艺C、掺杂浓度D、晶格缺陷
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考题 半导体中多数载流子的浓度是由掺杂浓度决定的
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考题 在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于（）A、温度B、掺杂工艺C、杂质浓度D、晶体管缺陷
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考题 在杂质半导体中，少数载流子的浓度取决于（）A、温度B、掺杂元素C、掺杂浓度D、掺杂工艺
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考题 在杂质半导体中，多数载流子的浓度取决于（）。A、晶体缺陷B、温度C、杂质浓度D、掺杂工艺
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考题 以下属于三极管放大的外部条件是（）A、发射区掺杂浓度高B、集电结反偏C、基区薄且掺杂浓度低D、集电结面积大
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考题 单选题药敏试验中，MIC的含义是（）。A 最低杀菌浓度B 最高杀菌浓度C 最低抑菌浓度D 最高抑菌浓度E 最低稀释度
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