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抑制性突触后电位是由于引起了K离子的通透性提高而发生的局部电位。()
此题为判断题(对，错)。
参考答案
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考题
由于不同递质对突触后膜通透性影响的不同，突触后电位的类型包括A、兴奋性突触后电位和局部电位B、抑制性突触后电位和局部电位C、兴奋性突触后电位、抑制性突触后电位和局部电位D、兴旮性突触后电位或抑制性突触后电位E、兴奋性突触后电位和抑制性突触后电位
考题
抑制性突触后电位的形成，是由于突触后膜对下列中的哪些离子通透性增加所致A.Na、K、Cl，尤其是K
B.Na、K、Cl，尤其是Na
C.K、Cl，尤其是Cl
D.K、Cl，尤其是K+
E.Ca、K、Cl，尤其是Ca
考题
抑制性突触后电位的产生是由于突触后膜对下列哪种离子通透性增加所致A.Ca、K、Cl，尤其是Ca
B.Na、Cl、K，尤其是K
C.K、Ca、Na，尤其是Ca
D.K、Cl，尤其是Cl
E.Na、K，尤其是Na
考题
抑制性突触后电位是由于突触后膜对哪种离子的通透性增高而产生A．Ca2+B．Na+C．K+D．Cl-和K+
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