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抑制性突触后电位的形成，是由于突触后膜对下列中的哪些离子通透性增加所致
A.Na
、K
、Cl
，尤其是K
B.Na
、K
、Cl
，尤其是Na
C.K
、Cl
，尤其是Cl
D.K
、Cl
，尤其是K+
E.Ca
、K
、Cl
，尤其是Ca
、K、Cl，尤其是K
B.Na
、K、Cl，尤其是Na
C.K
、Cl，尤其是Cl
D.K
、Cl，尤其是K+
E.Ca
、K、Cl，尤其是Ca参考答案
参考解析
解析：突触传递过程：当突触前神经元兴奋传到神经末梢时，突触前膜发生去极化，当去极化达一定水平时，即引起前膜上的一种电压门控式Ca2+通道开放，于是细胞外液中的Ca2+进入突触前末梢内。Ca2+进入前膜后起两方面的作用:一是降低轴浆黏度，有利于突触小泡位移；二是消除突触前膜内侧负电位，促进突触小泡和前膜接触、融合和胞裂，最终导致神经递质释放。递质在突触间隙经扩散到达突触后膜，作用于突触后膜上特异性受体或化学门控式通道，引起突触后膜上某些离子通道通透性改变，导致某些带电离子进入突触后膜，从而引起突触后膜的膜电位发生一定程度的去极化或超极化。这种突触后膜上的电位变化称为突触后电位。
如突触前膜兴奋，释放兴奋性神经递质，作用于突触后膜，使后膜对Na+和K+，尤其是Na+通透性增大，Na+内流在突触后膜上产生局部去极化电位（兴奋性突触后电位，EPSP）。
如突触前膜兴奋，释放抑制性神经递质，作用于突触后膜，使后膜对K+、Cl-，尤其是Cl-通透性增大，Cl-内流在突触后膜上产生局部超极化电位（抑制性突触后电位，IPSP）
如突触前膜兴奋，释放兴奋性神经递质，作用于突触后膜，使后膜对Na+和K+，尤其是Na+通透性增大，Na+内流在突触后膜上产生局部去极化电位（兴奋性突触后电位，EPSP）。
如突触前膜兴奋，释放抑制性神经递质，作用于突触后膜，使后膜对K+、Cl-，尤其是Cl-通透性增大，Cl-内流在突触后膜上产生局部超极化电位（抑制性突触后电位，IPSP）
更多 “抑制性突触后电位的形成，是由于突触后膜对下列中的哪些离子通透性增加所致A.Na、K、Cl，尤其是K B.Na、K、Cl，尤其是Na C.K、Cl，尤其是Cl D.K、Cl，尤其是K+ E.Ca、K、Cl，尤其是Ca” 相关考题
考题
抑制性突触后电位的形成,是由于突触后膜对下列中的哪些离子通透性增加所致()
A、Na+、K+、Cl-，尤其是K+B、Na+、K+、Cl-，尤其是Na+C、K+、Cl-，尤其是Cl-D、K+、Cl-，尤其是K+E、Ca2+、K+、Cl-，尤其是Ca2+
考题
兴奋性与抑制性突触后电位的相同点是()
A、突触后膜去极化B、都可向远端传导C、都与突触后膜对Na+通透性增加有关D、出现“全或无”式电位变化E、递质使突触后膜对某些离子通透性改变的结果
考题
下列关于抑制性突触后电位的叙述,正确的是A.是局部去极化电位B.具有"全或无"性质SXB
下列关于抑制性突触后电位的叙述，正确的是A.是局部去极化电位B.具有"全或无"性质C.是局部超极化电位D.由突触前膜递质释放量减少所致E.由突触后膜对钠通透性增加所致
考题
抑制性突触后电位的产生是由于突触后膜对下列哪种离子通透性增加所致A.Ca、K、Cl，尤其是Ca
B.Na、Cl、K，尤其是K
C.K、Ca、Na，尤其是Ca
D.K、Cl，尤其是Cl
E.Na、K，尤其是Na
考题
抑制性突触后电位形成是突触后膜对下列哪些离子通透性增加A.Na，K，尤其是K
B.Ca，Cl，尤其是Ca
C.Na，Cl，尤其是Na
D.K，Cl，尤其是Cl
E.K，Ca，Na，尤其是Ca
考题
单选题下列哪些为兴奋性突触后电位与抑制性突触后电位的共同特征（）。A
突触前膜均去极化B
突触后膜均去极化C
突触前膜释放的递质性质一样D
突触后膜对离子通透性一样
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