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巴黎系统规定,单平面插植最多使用9根放射源,三角形双平面插植最多也使用9根放射源,而正方形排列为()根放射源。

  • A、8
  • B、9
  • C、10
  • D、11
  • E、12

参考答案

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考题 水稻稀植机插深施肥技术的三大特点。

考题 插秧机中插植叉(推秧器)不弹出的原因可能是( )。 A、压出弹簧损坏B、插植叉弯曲C、插植衬套中有杂物D、凸轮轴上凸轮磨损严重

考题 组织间插植巴黎系统中线源活性长度AL应比靶区长度L长多少 A、10%B、15%C、20%D、25%E、30%

考题 宫颈癌组织间插植的优点是( ) A、局部肿块消除快B、止血效果显著C、根据肿瘤形状调整插植排列D、操作简便、无须麻醉E、以上各项均为正确

考题 巴黎系统的插植基本原则不包括()A、多源插植时,放射源长度和各放射源间的距离相等B、平面插植时,周边源和中心源的强度之比由辐射平面的面积而定C、所有放射源的线比释动能率相等D、放射源是相互平行的直线源,插植时各源的中心在同一平面,即中心平面E、多平面插植,放射源排列为等边三角形或正方形

考题 曼彻斯特系统规定,当治疗厚度大于()时,需要用双平面插植。A、0.5cmB、1.0cmC、1.5cmD、2.0cmE、2.5cm

考题 上颌窦癌最合理的放疗技术是()。A、高能X线多野照射B、高能X线加组织间插植C、高能电子线D、组织间插植E、高能电子线加组织间插植

考题 传统的组织间插植治疗剂量学系统是指()。A、曼切斯特系统B、巴黎系统C、纽约系统

考题 关于巴黎系统的插植基本规则,描述错误的是()A、所有的放射源的线比释动能率相等B、放射源是相互平行的直线源C、插植时各直线源强度及长度相等D、各源的中心在同一平面,即中心平面E、多平面插植放射源排列为长方形或等边三角形

考题 永久性插植治疗,确定累积剂量(放射源完全衰变)的两个参数是()A、初始剂量率B、放射源的平均寿命C、放射源的半衰期D、治疗时间E、放射源的滤过

考题 曼彻斯特系统是以()直线源设计的平面插植剂量计算系统。A、镭-226B、铱-192C、铯-137D、碘125E、钴-60

考题 曼彻斯特系统的单平面插植,规定距辐射平面()为参考剂量平面。A、0.1cmB、0.5cmC、1.0cmD、1.5cmE、2.0cm

考题 对组织间照射的巴黎系统单平面插植时放射源特点描述,不符合的是()。A、相互平行B、按强度大小线性排列C、长度相等D、距离相等E、源中心在同一平面

考题 在数控系统中使用最多的插补方法是逐点比较法。

考题 当使用圆弧插补指令时,与平面的选择无关。

考题 宫颈癌组织间插植的优点是()A、局部肿块消除快B、止血效果显著C、根据肿瘤形状调整插植排列D、操作简便、无需麻醉E、以上各项

考题 舌活动部早期鳞癌组织间插植的设置()A、于瘤体中央置一施源器即可B、正方形排列C、按靶区范围采用巴黎系统布源D、沿瘤体周边等距离间隔布源E、单平面布源

考题 组织间插植巴黎系统中线源活性长度()A、10%B、15%C、20%D、25%E、30%

考题 单选题传统的组织间插植治疗剂量学系统是指()。A 曼切斯特系统B 巴黎系统C 纽约系统

考题 单选题上颌窦癌最合理的放疗技术是()。A 高能X线多野照射B 高能X线加组织间插植C 高能电子线D 组织间插植E 高能电子线加组织间插植

考题 单选题组织间插植巴黎系统中线源活性长度()。A 10%B 15%C 20%D 25%E 30%

考题 单选题以下巴黎系统插值照射剂量计算方法,错误的是()A 定义85%的基准剂量为参考剂量B 定义90%的基准剂量为参考剂量C 以平均中心剂量为基准剂量D 以中心平面各放射源之间的中心点剂量的平均值为基准剂量E 基准剂量点在三角形和正方形插值平面的几何中心

考题 单选题组织间插植布源规则中,不正确的是()。A 植入的放射源必须是直线型B 植入的放射源彼此互相平行C 各线源等分中心位于同一平面D 各源相互等间距E 排列必须是等边三角形

考题 单选题组织间插植巴黎系统中线源活性长度AL应比靶区长度L长()A 10%B 15%C 20%D 25%E 30%

考题 单选题舌活动部早期鳞癌组织间插植的设置( )A 于瘤体中央置一施源器即可B 正方形排列C 按靶区范围采用巴黎系统布源D 沿瘤体周边等距离间隔布源E 单平面布源

考题 单选题宫颈癌组织间插植的优点是()。A 局部肿块消除快B 止血效果显著C 根据肿瘤形状调整插植排列D 操作简便、无需麻醉E 以上各项

考题 单选题对组织间照射的巴黎系统单平面插植时放射源特点描述,不符合的是()。A 相互平行B 按强度大小线性排列C 长度相等D 距离相等E 源中心在同一平面