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关于巴黎系统的插植基本规则,描述错误的是()
- A、所有的放射源的线比释动能率相等
- B、放射源是相互平行的直线源
- C、插植时各直线源强度及长度相等
- D、各源的中心在同一平面,即中心平面
- E、多平面插植放射源排列为长方形或等边三角形
参考答案
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考题
关于平均中心剂量MCD的描述,正确的是()A、一般位于临床靶区周边B、是临床靶区所接受的平均剂量C、是相邻放射源之间平均剂量的算术平均值D、放射源之间每一最小剂量相当于平均中心剂量的变化范围E、在单平面平行线源和三角形分布源的MCD计算最准确
考题
巴黎系统的插植基本原则不包括()A、多源插植时,放射源长度和各放射源间的距离相等B、平面插植时,周边源和中心源的强度之比由辐射平面的面积而定C、所有放射源的线比释动能率相等D、放射源是相互平行的直线源,插植时各源的中心在同一平面,即中心平面E、多平面插植,放射源排列为等边三角形或正方形
考题
关于巴黎系统的通用规则,正确的是()A、必须使用线源并且相互平行B、所有放射源的中心必须位于同一平面C、所有线源强度必须注明和均匀D、相邻放射源的间距必须相等E、当使用较长的放射源时,源间空隙会狭窄
考题
巴黎系统为获得计划设计的剂量分布,需要遵循选择和设置放射源的通用规则,其中不包括()A、必须使用线源且相互平行B、所有放射源的中心必须位于同一平面C、所有线源的强度必须注明和均匀D、相邻放射源的间距必须相等E、可使用不同放射性核素
考题
源瘤距的描述正确的是()。A、放射源中心到体表皮肤照射中心的距离B、放射源中心到体内肿瘤所参考点的距离C、放射源中心到机架旋转中心的距离D、放射源到限光筒准直器底面的距离E、体表照射中心到体内肿瘤所参考点的距离
考题
源轴距的描述正确的是()。A、放射源中心到体表皮肤照射中心的距离B、放射源中心到体内肿瘤所参考点的距离C、放射源到机架旋转中心的距离D、放射源到限光筒准直器底面的距离E、体表照射中心到体内肿瘤所参考点的距离
考题
单选题以下巴黎系统插值照射剂量计算方法,错误的是()A
定义85%的基准剂量为参考剂量B
定义90%的基准剂量为参考剂量C
以平均中心剂量为基准剂量D
以中心平面各放射源之间的中心点剂量的平均值为基准剂量E
基准剂量点在三角形和正方形插值平面的几何中心
考题
多选题关于巴黎系统的通用规则,正确的是()A必须使用线源并且相互平行B所有放射源的中心必须位于同一平面C所有线源强度必须注明和均匀D相邻放射源的间距必须相等E当使用较长的放射源时,源间空隙会狭窄
考题
单选题对组织间照射的巴黎系统单平面插植时放射源特点描述,不符合的是()。A
相互平行B
按强度大小线性排列C
长度相等D
距离相等E
源中心在同一平面
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