考题
二极管的基本特性是______,硅管导通时正向压降约为______V。
考题
二极管的电压—电流关系可简单理解为()导通,()截止的特性。导通后,硅管管压降约为(),锗管管压降约为()。
考题
晶闸管有()个PN节,导通时,阳极和阴极的管压降约为()V。
此题为判断题(对，错)。
考题
硅二极管导通时的正向压降为()V,锗二极管导通时的正向压降为()V。
考题
通态平均电压是指晶闸管导通后，A、K极之间在一个周期内的平均电压值，称为（）。A、管压降B、正向电压C、反向电压D、平均电压
考题
晶闸管导通时的管压降约（）V。A、0.1B、1C、3D、5
考题
二极管导通时的正向电压称为正向压降（或管压降）。一般正常工作时，硅管的正向压降是（）V。A、0.2B、0.3C、0.5D、0.7
考题
二极管处于导通状态时，二极管的压降（）。A、为零B、硅管0.7V，锗管0.3VC、等于电路电压D、电压不变
考题
普通二级管导通后两端的电压叫（）A、导通电压B、管压降C、击穿电压
考题
二极管的伏安特性可大概理解为（）、（）。导通的硅管的压降约为（）V。
考题
晶体二极管特性为（）导通，（）截止，导通后硅管压降为（），锗管压降为（）。
考题
实际电路中二极管导通时的正向压降硅管一般取（），锗管一般为（）。
考题
常温下，硅二极管导通后在较大电流下的正向压降约为（）V；锗二极管导通后在较大电流下的正向压降约为（）V。
考题
硅管的导通压降约为（）V，锗管的导通压降约为（）V。
考题
在常温下，硅二极管的开启电压是（）V，导通后在较大电流下时正向压降约（）V。
考题
从二极管伏安特性曲线可以看出，二极管两端压降大于（）时处于正偏导通状态。A、0B、死区电压C、反向击穿电压D、正向压降
考题
在常温下，硅二极管的门限电压约（）V，导通后在较大电流下的正向压降约（）V，锗二极管的门限电压约（）V，导通后在较大电流下的正向压降约（）V。
考题
二极管当正向电压超过UVD后，二极管开始导通。正常导通时，二极管的正向管压降很小，硅管约为（），锗管约为（）。
考题
在常温下，硅二极管的门槛电压约为（），导通后在较大电流下的正向压降约为（）；锗二极管的门槛电压约为（），导通后在较大电流下的正向压降约为（）。
考题
试说明功率二极管为什么在正向电流较大时导通压降仍然很低，且在稳态导通时其管压降不随电流的大小而变化。
考题
肖特基二级管正向压降小，开启电压（），正向导通损耗小。
考题
问答题试说明功率二极管为什么在正向电流较大时导通压降仍然很低，且在稳态导通时其管压降不随电流的大小而变化。
考题
填空题常温下，硅二极管导通后在较大电流下的正向压降约为（）V；锗二极管导通后在较大电流下的正向压降约为（）V。
考题
单选题普通二级管导通后两端的电压叫（）A
导通电压B
管压降C
击穿电压