考题
三极管加正向偏置时存在一个死区电压,锗管死区电压为()V,硅管为()V。
考题
测得晶体管三个电极对地的电压分别为－2V、－8V、－ 2.2V,则该管为()。
A.NPN型锗管B.PNP型锗管C.PNP型硅管D.NPN型硅管
考题
在某放大电路中，测得三极管静态电位VBE =0.2V、VCE = 4V，则这只三极管为( )。A.NPN硅管B.NPN锗管C.PNP硅管D.PNP锗管
考题
测得一放大电路中三极管各级电压如图所示，则该三极管为（ ）。
A． NPN型锗管
B． NPN型硅管
C． PNP型锗管
D． PNP型硅管
考题
如图所示电路中，二极管性能理想，则电压UAB为（ ）。
A. -5V B. -15V C. 10V D. 25V
考题
在某放大电路中，测得三极管各电极对地的电压分别为6V/9.8V/10V，由此可判断该三极管为（ ）。
A． NPN硅管
B． NPN锗管
C． PNP硅管
D． PNP锗管
考题
如图所示电路中，设DZ1的稳定电压为7V，DZ2的稳定电压为13V，则电压UAB等于（ ）。
A. 0.7V B. 7V
C. 13V D. 20V
考题
在某放大电路中,测得三极管各电极对‘地’的电压分别为6V/9.8V/10V,由此可判断该三极管为（）
（A）NPN硅管（B）NPN锗管（C）PNP硅管（D）PNP锗管
考题
在放大电路中，若测得某晶体管三个电极的电位分别为7V，1.2V，1V，则该管为：（）。A.NPN型硅管
B.PNP型硅管
C.NPN型锗管
D.PNP型锗管
考题
二级管应用电路如图所示，设二极管D为理想器件，u1= 10sinwtV，则输出电压u0的波形为：
考题
晶体管符号上的箭头朝外，则表示为（）。ANPN型晶体管；BPNP型晶体管；C硅管；D锗管。
考题
在某放大电路中，测得三极管静态电位VBE=0.2V、VCE=4V，则这只三极管为（）。A、NPN硅管B、NPN锗管C、PNP硅管D、PNP锗管
考题
二极管处于导通状态时，二极管的压降（）。A、为零B、硅管0.7V，锗管0.3VC、等于电路电压D、电压不变
考题
锗管比硅管的接触电位差大，因此锗管比硅管的死区电压大。
考题
实际电路中二极管导通时的正向压降硅管一般取（），锗管一般为（）。
考题
硅管的死区电压为0.5V，锗管的死区电压为（）。A、0.5VB、0.7VC、0.4VD、0.2V
考题
硅二极管的开启电压为0.5V左右，锗二极管为0.1V左右。
考题
已知放大电路中某晶体管三个极的电位分别为VE=-1.7V，VB=-1.4V，VC=5V，则该管类型为（）A、NPN型锗管B、PNP型锗管C、NPN型硅管D、PNP型硅管
考题
二极管具有（）向导电性，两端加上正向电压时有一段“死区电压”，锗管约为（）V；硅管约为（）V。
考题
硅管的导通电压比锗管大，反向电流比锗管（），温度稳定性比锗管（）。
考题
已知放大电路中某晶体管三个极的电位分别为6V、5.3V、0V，则该管为（）A、PNP型锗管B、NPN型锗管C、PNP型硅管D、NPN型硅管
考题
晶体管的PN结的正向压降为（）。A、锗管为0.3V左右B、锗管为0.7V左右C、硅管为0.3V左右D、硅管为0.7V左右
考题
已知放大电路中某晶体管三个极的电位分别为UE＝6V，UB=5.3V，UC=0V，则该管为（）。A、PNP型锗管B、NPN型锗管C、PNP型硅管D、NPN型硅管
考题
晶体管符号上的箭头朝外，则表示为（）。A、NPN型晶体管；B、PNP型晶体管；C、硅管；D、锗管。
考题
对放大电路中的三极管测量，各级对地电压为UB=2.7V，UE=2V，UC=6V则该管是（）A、硅NPN管B、锗NPN管C、硅PNP管D、锗PNP管
考题
多选题晶体管的PN结的正向压降为（）。A锗管为0.3V左右B锗管为0.7V左右C硅管为0.3V左右D硅管为0.7V左右
考题
填空题硅二极管的正向电压降一般为（）左右;锗二极管的正向电压一般为（）左右。
