考题
场效应管是( ) 器件。
A.电流控制电流B电流控制电压C电压控制电压D电压控制电流
考题
半导体三极管是()控制器件,场效应管是()控制器件。
A、电流B、电压C、电阻D、频率
考题
场效应管的工作原理是()
A、栅源电压控制漏极电流B、栅源电压控制漏极电压C、栅极电流控制漏极电流D、栅极电流控制漏极电压
考题
场效应管本质上是一个( )。A.电流控制电流源器件B.电流控制电压源器件C.电压控制电流源器件D.电压控制电压源器件
考题
GTR为电流型控制器件,用______来控制集电极电流。而IGBT是______控制器件,用栅极电压来控制漏极电流。因此,其对驱动电路的要求不同。
考题
场效应管是通过改变()来控制漏极电流的。
A、栅极电流B、栅源电压C、源极电压D、源极电流
考题
场效应管的工作原理是利用栅极电压对()电流的控制作用来作为放大器件。
A.原极；B.漏极；C.栅极；
考题
半导体三极管是一种（）。A、电压控制电压的器件B、电压控制电流的器件C、电流控制电流的器件D、电流控制电压的器件
考题
场效应管与普通半导体三极管不同的是，它是电压控制器件
考题
场效应管是利用外加电压产生的（）来控制漏极电流的大小的。A、电流B、电场C、电压
考题
场效应管本质上是一个（）A、电流控制电流源器件B、电压控制电流源器件C、电流控制电压源器件D、电压控制电压源器件
考题
场效应管的工作原理是利用栅极电压对（）电流的控制作用来作为放大器件。A、原极；B、漏极；C、栅极；
考题
根据场效应管的转移特性，可知场效应管是一种（）器件。A、电压控制电压源B、电流控制电压源C、电压控制电流源D、电流控制电流源
考题
场效应管是通过改变（）来改变漏极电流的，所以是一个（）控制的（）器件。
考题
场效应管是一种（）A、电压控制器件B、电流控制器件C、双极型器件D、少子工作的器件
考题
场效应管是（）器件。A、电压控制电压B、电流控制电压C、电压控制电流D、电流控制电流
考题
场效应管是一种利用（）来控制其电流大小的半导体三极管，所以我们说场效应管是（）器件，三极管是（）器件。
考题
场效应管是利用外加电压产生的（）来控制漏极电流的大小的，因此，称它为（）控制电流的器件。
考题
场效应管是利用输入回路的（）来控制输出电流的半导体器件，而晶体管是利用输入回路（）来控制输出电流的。
考题
JFET是利用PN结反向电压对耗尽层厚度的控制，来改变（）的宽窄，从而控制漏极电流的大小；而MOSFET则是利用栅源电压的大小，来改变半导体表面（）的多少，从而控制漏极电流的大小。
考题
场效应管是一种利用（）来控制其电流大小的半导体器件。
考题
场效应管是（）器件。A、电流控制B、电压控制C、光电控制
考题
三极管是电流控制器件，场效应管是电压控制器件。
考题
晶体三极管和场效应管分别是（）。A、电压控制器件，电流控制器件B、电流控制器件，电压控制器件C、均为电压控制器件
考题
场效应管的低频跨导是描述栅极电压对漏极电流控制作用的重要参数，其值愈大，场效应管的控制能力愈强。
考题
单选题场效应管的漏极电流是受以下哪种参数控制的。（）A
栅极电流B
栅源电压C
漏源电压D
栅漏电压
考题
单选题场效应管本质上是一个（）A
电流控制电流源器件B
电流控制电压源器件C
电压控制电流源器件D
电压控制电压源器件
考题
单选题场效应管是（）器件。A
电流控制电压B
电压控制电压C
电压控制电流D
电流控制电流