考题
晶体的生长方式在人工制备中用的比较少的是（）A、固相生长B、液相生长C、气相生长
考题
下列关于助熔剂法的说法正确的是（）。A、可生成较大的晶体，且生长速度快B、可生成加大的晶体，但生长速度慢C、只能生成较小的晶体D、生长速度较快
考题
天然宝石晶体的晶面的生长速度的特征是：（）A、生长快速B、生长慢速C、速度中等D、没有特征
考题
外延层的迁移率低的因素有原材料纯度（）；反应室漏气；外延层的晶体（）；系统沾污等；载气纯度不够；外延层晶体缺陷多；生长工艺条件不适宜。
考题
试举例说明流变相反应生长晶体的特点，试描述其晶体生长反应机理。
考题
生长发育是一个（）的过程，既有（）的变化，也有质变化，因而形成了不同的（）阶段。
考题
晶体从缺陷处生长的种类不包括（）A、螺旋位错生长B、旋转孪晶生长C、反射孪晶生长D、平行位错生长
考题
晶体从缺陷处生长的种类包括（）A、螺旋位错生长B、旋转孪晶生长C、反射孪晶生长D、平行位错生长
考题
“一向延伸”是指矿物的（）形态，众多晶体生长在一个基座上，各晶体大致沿着相似的方向排列、生长，形成基部相连、末端分离的晶体簇叫（）。象黑钨矿中的铁和钨离子可以相互置换的现象叫（）。
考题
晶体的生长速度与面网密度（）A、密度越大，生长越快B、密度越大，生长越慢C、无关
考题
在（）情况下得到粗大而有规则的晶体。A、晶体生长速度大大超过晶核生成速度B、晶体生长速度大大低于过晶核生成速度C、晶体生长速度等于晶核生成速度D、以上都不对
考题
根据晶体生长扩散学说，晶体的生长包括（）、（）和（）三个过程。
考题
在什么情况下得到粗大而有规则的晶体（）A、晶体生长速度大大超过晶核生成速度B、晶体生长速度大大低于过晶核生成速度C、晶体生长速度等于晶核生成速度D、以上都不对
考题
阴极发光仪可用作（）。A、宝石鉴定B、晶体生长方式和成因研究C、矿物的微量元素及矿物的成因研究D、A、B、C都是
考题
对纯金属，正确的是（）A、在正温度梯度下，晶体以平面方式生长B、在负温度梯度下，晶体以树枝晶方式生长C、在负温度梯度下，晶体以平面方式生长D、在正温度梯度下，晶体以树枝晶方式生长
考题
单选题晶体从缺陷处生长的种类不包括（）A
螺旋位错生长B
旋转孪晶生长C
反射孪晶生长D
平行位错生长
考题
判断题高分子材料既有晶体也有非晶体。A
对B
错
考题
填空题根据晶体生长扩散学说，晶体的生长包括（）、（）和（）三个过程。
考题
单选题在（）情况下得到粗大而有规则的晶体。A
晶体生长速度大大超过晶核生成速度B
晶体生长速度大大低于过晶核生成速度C
晶体生长速度等于晶核生成速度D
以上都不对
考题
填空题生长发育是一个（）的过程，既有（）的变化，也有质变化，因而形成了不同的（）阶段。
考题
多选题晶体从缺陷处生长的种类包括（）A螺旋位错生长B旋转孪晶生长C反射孪晶生长D平行位错生长
考题
单选题晶体的生长方式在人工制备中用的比较少的是（）A
固相生长B
液相生长C
气相生长
考题
填空题严格地说，在同一矿物晶体的（），矿物硬度也有差异。
考题
多选题对纯金属，正确的是（）A在正温度梯度下，晶体以平面方式生长B在负温度梯度下，晶体以树枝晶方式生长C在负温度梯度下，晶体以平面方式生长D在正温度梯度下，晶体以树枝晶方式生长
考题
填空题矿物的单体形态是：在相同条件下生长的同种（），总是趋向于形成某种特定的（）和（），即矿物晶体的结晶习性。
考题
单选题在什么情况下得到粗大而有规则的晶体（）A
晶体生长速度大大超过晶核生成速度B
晶体生长速度大大低于过晶核生成速度C
晶体生长速度等于晶核生成速度D
以上都不对