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在UO2+x晶体中,当氧分压不变时,温度增加,晶体密度 ?

A.增加

B.降低

C.不变

D.减少


参考答案和解析
增加
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考题 晶体管的参数受温度的影响较大,当温度升高时,晶体管的β、ICBO、UBE的变化情况为()。 A.β和ICBO增加,UBE减小 B.β和UBE减小,ICBO增加 C.β增加,ICBO和UBE减小 D.β、UBE和ICBO都增加

考题 晶体管的参数受温度影响较大,当温度升高时,晶体管的β、ICBO和UBE的变化情况分别为(  )。 A.β增加,ICBO和UBE减小 B.β和ICBO增加,UBE减小 C.β和UBE减小,ICBO增加 D.β、ICBO和UBE都增加

考题 当体系温度低于()℃时,在不同温度和压力下就会有水合乙炔晶体生成,当体系温度高于该温度时,不论压力多么高,也不会有水合乙炔晶体生成A10B16C20D25

考题 非晶体物质在放出凝结热时温度随之()。A、升高B、降低C、不变D、变化

考题 随温度升高,晶体管的β值()A、增加B、减小C、不变

考题 在容积不变的密闭容器中的气体,当温度降低时()。A、压强减小,密度减小B、压强减小,密度增大C、压强减小,密度不变D、压强不变,密度减小

考题 晶体在熔解过程中,由于温度不变,说明此时不再吸收热量。

考题 UO2+x在氧化气氛中可形成()型非计量化合物,可形成()型半导体,缺陷浓度与氧分压的1/6次方成(),如果减少周围氧气的分压,UO2+x的密度将()

考题 当体系温度低于()℃时,在不同温度和压力下就会有水合乙炔晶体生成,当体系温度高于该温度时,不论压力多么高,也不会有水合乙炔晶体生成A、10B、16C、20D、25

考题 当温度升高时,晶体二极管的伏安特性曲线将向()。A、下移动B、右移动C、不变D、左移动

考题 当温度升高时,晶体管的β(),反向电流(),UBE()

考题 晶体管参数受温度影响较大,当温度升高时,晶体管的β,ICBO,uBE的变化情况为()A、β增加,ICBO,和 uBE减小B、β和ICBO增加,uBE减小C、β和uBE减小,ICBO增增加D、β、ICBO和uBE都增加

考题 晶体管是温度的敏感元件,当温度升高时其参数ICBO(),VBE(),β()。

考题 晶体三极管的参数受温度影响,当温度升高时,晶体管的ICBO将(),β将(),|UBE|将()。

考题 晶体管参数受温度影响较大,当温度升高时,晶体管的β,ICBO,uBE的变化情况为()。A、β增加,ICBO和 uBE减小B、β和ICBO增加,uBE减小C、β和uBE减小,ICBO增加D、β、ICBO和uBE都增加

考题 温度升高时,晶体二极管的Is将()A、增大B、减小C、不变D、近似不变

考题 温度增加时,在ID不变的情况下,晶体二极管的VVD(on)将()A、增大B、减小C、不变D、未知

考题 在晶体三极管放大电路中,当集电极电流增大时,将使晶体三极管()。A、集电极电压Uce上升B、集电极电压Uce下降C、基极电流不变

考题 当温度升高时,晶体管的参数碑拓β(),ICBO(),导通电压()。

考题 当温度升高时,晶体二极管的反向饱和电流将()。A、增大B、减小C、不变D、不能确定

考题 当环境温度升高时,晶体三极管电压放大器的电压放大倍数()。A、增大B、减小C、不变D、不确定

考题 当其它条件不变化时,晶体管放大器电源电压增加,直流负载线斜率()。A、增大B、减小C、不变D、变0

考题 单选题当体系温度低于()℃时,在不同温度和压力下就会有水合乙炔晶体生成,当体系温度高于该温度时,不论压力多么高,也不会有水合乙炔晶体生成A 10B 16C 20D 25

考题 填空题晶体产生Frankel缺陷时,晶体体积(),晶体密度();而有Schtty缺陷时,晶体体积(),晶体密度()。一般说离子晶体中正、负离子半径相差不大时,()是主要的;两种离子半径相差大时,()是主要的。

考题 单选题当晶体生长的较快,内坩埚中杂质量变少,晶体的电阻率().A 上升B 下降C 不变D 不确定

考题 单选题晶体中的热缺陷的浓度随温度的升高而()。A 增加B 不变C 降低

考题 单选题当温度升高时,晶体二极管的伏安特性曲线将向()。A 下移动B 右移动C 不变D 左移动

考题 填空题UO2+x在氧化气氛中可形成()型非计量化合物,可形成()型半导体,缺陷浓度与氧分压的1/6次方成(),如果减少周围氧气的分压,UO2+x的密度将()