考题
晶体管有()型和()型两种,硅管以()型居多,锗管以()型居多。
考题
测得晶体管三个电极对地的电压分别为－2V、－8V、－ 2.2V,则该管为()。
A.NPN型锗管B.PNP型锗管C.PNP型硅管D.NPN型硅管
考题
晶体管工作在放大状态时，发射结正偏，对于硅管约为（）V，锗管约为0.3V。A.0.7
B.0.5
C.0.3
D.0.1
考题
在放大电路中，若测得某晶体管三个电极的电位分别为7V，1.2V，1V，则该管为：（）。A.NPN型硅管
B.PNP型硅管
C.NPN型锗管
D.PNP型锗管
考题
晶体管符号上的箭头朝外，则表示为（）。ANPN型晶体管；BPNP型晶体管；C硅管；D锗管。
考题
简述采用8次光刻的多晶硅薄膜晶体管的工艺流程与非晶硅薄膜晶体管的不同。
考题
如何用万用表判别晶体管的管型和极性？锗管和硅管又如何通过实验区别出来？
考题
测得放大电路中某晶体管三个电极对地的电位分别为6V、5、3V和-6V，则该三极管的类型为（）。A、硅PNP型B、硅NPN型C、锗PNP型D、锗NPN型
考题
目前我国生产的NPN结构形式的晶体管多为（）管。A、硅B、锗C、稳压D、整流
考题
晶体管型号2CZ50表示（）。A、50A的硅整流二极管B、硅稳压管C、50A的锗整流二极管D、普通硅三极管
考题
晶体管工作在放大状态时，发射结反偏，对于硅管约为0.7v，锗管约为0.3v。
考题
国产晶体管2CW表示（）。A、N型硅材料微波管B、P型锗材料稳压管C、N型硅材料稳压管D、P型锗材料微波管
考题
根据国产半导体器件命名方法可知，3DG6为（）A、NPN型低频小功率硅晶体管B、NPN型高频小功率硅晶体管C、PNP型低频小功率锗晶体管D、NPN型低频大功率硅晶体管
考题
半导体锗和硅都是晶体结构，所以半导体管又称为晶体管。
考题
经常用于制造晶体管的两种元素是：（）A、碳和氢B、铱和钨C、镍和铌D、硼和铝E、硅和锗
考题
晶体管符号中，箭头朝内者，表示它是（）。A、硅管；B、锗管；C、NPN管；D、PNP管。
考题
已知放大电路中某晶体管三个极的电位分别为VE=-1.7V，VB=-1.4V，VC=5V，则该管类型为（）A、NPN型锗管B、PNP型锗管C、NPN型硅管D、PNP型硅管
考题
硅管的导通电压比锗管大，反向电流比锗管（），温度稳定性比锗管（）。
考题
已知放大电路中某晶体管三个极的电位分别为6V、5.3V、0V，则该管为（）A、PNP型锗管B、NPN型锗管C、PNP型硅管D、NPN型硅管
考题
根据国产半导体器件型号的命名方法可知，3DG6为（）。A、NPN型低频小功率硅晶体管B、NPN型高频小功率硅晶体管C、PNP型低频小功率锗晶体管D、NPN型低频大功率硅晶体管
考题
场效应管与晶体管相比较，其输入电阻；Nf（）；温度稳定性（）；饱和压降（）；放大能力（）；频率特性（）；输出功率（）。
考题
晶体管的PN结的正向压降为（）。A、锗管为0.3V左右B、锗管为0.7V左右C、硅管为0.3V左右D、硅管为0.7V左右
考题
测得晶体管三个电极对地的电压分别为-2V、-8V、-2.2V，则该管不是（）A、NPN型锗管B、PNP型锗管C、PNP型硅管D、NPN型硅管
考题
晶体管符号上的箭头朝外，则表示为（）。A、NPN型晶体管；B、PNP型晶体管；C、硅管；D、锗管。
考题
单选题晶体管符号中，箭头朝外者，表示它是（）。A
硅管B
锗管C
NPN管D
PNP管
考题
填空题与可控硅斩波电路相比，晶体管斩波电路没有（）。
考题
多选题晶体管的PN结的正向压降为（）。A锗管为0.3V左右B锗管为0.7V左右C硅管为0.3V左右D硅管为0.7V左右