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18、下面()可减小IGBT的通态压降。

A.减小漂移区厚度

B.增大栅极电压

C.适当增加漂移区载流子寿命

D.增大漏极电压


参考答案和解析
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考题 简述电压互感器二次压降的产生原因及减小压降的方法。

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考题 MOS控制晶闸管(MCT)是新型电力电子器件,它具有()特点。A、高电压B、大电流C、低通态压降D、开关速度快E、开关损耗小

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考题 差压阀的工作原理是:当流速减小引起挡板前后压力降减小时,致使阀关闭。

考题 减压围井法靠逐步壅高围井内水位,减小()的原理,逐步降低渗压,减小渗透比降,制止渗透破坏,以稳定管涌险情。A、渗透坡降B、水头差C、渗径D、渗压

考题 IGBT是绝缘栅型双极性晶体管,它的特性是();A、输出饱和压降低;B、输入阻抗高;C、开关速度高;D、通态度损耗小;

考题 为防止IGBT的误导通,通常在正向驱动脉冲以外的时刻对IGBT的栅极施加关断负偏压,例如电车直流机组用的IGBT所选择的负偏压数值为-24V。

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考题 MCT是一种新型电力电子器件,具有以下特点()。A、通态压降小,约为1.1V,仅是IGBT通态压降的三分之一B、开关速度快C、工作温度高D、即使关断失败也不会损害器件

考题 晶闸管的主要参数有()。A、正向断态重复峰值电压UDRMB、反向重复峰值电压URRMC、通态平均电流IT(AV) D、通态平均管压降UT(AV)  E、维持电流IH

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