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晶闸管导通后,本身的压降约为()V左右,称为通态平均电压。

  • A、0.5
  • B、0.7
  • C、1
  • D、3

参考答案

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考题 二极管的电压—电流关系可简单理解为()导通,()截止的特性。导通后,硅管管压降约为(),锗管管压降约为()。

考题 晶闸管刚刚由断态转入通态并去掉触发门极信号后,仍能保持其导通状态的最小阳极电流称为()。A、通态平均电流IT(AV)B、维持电流IHC、擎住电流ILD、通态浪涌电流ITSM

考题 晶闸管有()个PN节,导通时,阳极和阴极的管压降约为()V。 此题为判断题(对,错)。

考题 通态平均电压是指晶闸管导通后,A、K极之间在一个周期内的平均电压值,称为()。A、管压降B、正向电压C、反向电压D、平均电压

考题 可控硅导通后,管压降一般约为()V左右A、0.3B、1C、0.7D、1.5

考题 晶闸管导通时的管压降约()V。A、0.1B、1C、3D、5

考题 晶闸管导通后,去掉门极电压或加负的门极电压,晶闸管仍然导通。

考题 晶闸管刚从断态转入通态并移除触发信号后,能维持导通所需的最小电流是()。A、通态平均电流B、维持电流C、擎住电流D、浪涌电流

考题 晶闸管导通后,阳极与阴极间的正向电压很小,约为()V左右。A、1B、2C、3D、4

考题 晶闸管的通态平均电压越大越好。()

考题 晶闸管导通后的管压降为()左右。A、1VB、1.2VC、0.8VD、0.6~0.7V

考题 晶闸管的功耗是通态平均电压与通态平均电流的乘积。所以说可控硅的通态平均电压越大越好。

考题 可控硅导通后,其压降()左右。 A、0.2VB、0.5VC、1V

考题 晶闸管导通后,去掉控制极上的电压,晶闸管继续导通,说明晶闸管一旦导通之后,控制极就失去控制作用。

考题 晶闸管的阳极直流电位是20V,阴极电位是0V,给控制极3V触发电压,此时晶闸管导通;当取消3V触发电压时,晶闸管()。A、截止B、导通截止C、导通D、截止导通

考题 晶闸管导通后,其正向压降约等于()。A、零B、0.3VC、1V左右

考题 常温下,硅二极管导通后在较大电流下的正向压降约为()V;锗二极管导通后在较大电流下的正向压降约为()V。

考题 晶闸管的主要参数有()。A、正向断态重复峰值电压UDRMB、反向重复峰值电压URRMC、通态平均电流IT(AV) D、通态平均管压降UT(AV)  E、维持电流IH

考题 硅管的导通压降约为()V,锗管的导通压降约为()V。

考题 晶体二极管导通时的正向压降:硅管约为()V,锗管约为()V。通常硅二极管的死区电压约为()V,锗二极管的死区电压约为()V。

考题 在常温下,硅二极管的门限电压约()V,导通后在较大电流下的正向压降约()V,锗二极管的门限电压约()V,导通后在较大电流下的正向压降约()V。

考题 在常温下,硅二极管的门槛电压约为(),导通后在较大电流下的正向压降约为();锗二极管的门槛电压约为(),导通后在较大电流下的正向压降约为()。

考题 在晶闸管导通后,如果对门极加反向电压,则晶闸管不能继续导通。

考题 晶闸管导通后,通过晶闸管的电流决定于()。A、电路的负载B、晶闸管的通态平均电流C、触发电压D、晶闸管阳阴极间电压

考题 单选题晶闸管的阳极直流电位是20V,阴极电位是0V,给控制极3V触发电压,此时晶闸管导通;当取消3V触发电压时,晶闸管()。A 截止B 导通截止C 导通D 截止导通

考题 单选题可控硅导通后,其压降()左右。A 0.2VB 0.5VC 1V

考题 填空题常温下,硅二极管导通后在较大电流下的正向压降约为()V;锗二极管导通后在较大电流下的正向压降约为()V。