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4、PMOS管的3个电极分别是()。

A.源极

B.基极

C.漏极

D.栅极


参考答案和解析
源极;漏极;栅极
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考题 增强型PMOS管的开启电压()。A、大于零B、小于零C、等于零D、或大于零或小于零

考题 场效应管的三个电极分别是基极、源极和漏极。() 此题为判断题(对,错)。

考题 电化学探头法测定水中溶解氧时,所用的电极分两种类型,它们分别是()和()。

考题 场效应管中参与导电的载流子,只能是电子或空穴中的一种,NMOS管的载流子是(),PMOS管的载流子是()。

考题 单结晶体管的三个电极分别是第一基极b1,第二基极b2和()。

考题 由下列器件构成的模拟开关中,导通电阻最低的是( )。A.CMOS场效应管B.PMOS场效应管C.NMOS场效应管D.二簧继电器

考题 离子选择电极的一般组成分为( )。A.内参比电极、饱和KCl溶液、功能膜、电极管 B.内参比电极、内参比溶液、功能膜.电极管 C.内参比电极、pH缓冲溶液、功能膜、电极管 D.内参比电极、功能膜、电极管

考题 晶体三极管的三个极分别是发射极、集电极和基极。

考题 硅整流二极管的()和()分别是它们的两个电极,可分为()管子和()管子。

考题 在MOS逻辑电路中,由PMOS管组成的与非门电路叫做()。A、互补MOS与非门电路B、CMOS与非门电路

考题 晶体三极管的三个电极分别是()极、()极和()极

考题 PMOS管的开启电压UT为()。A、正值B、负值C、零值D、正负值都有可能

考题 通常组成离子选择性电极的部分为()A、内参比电极、内参比溶液、敏感膜、电极管B、内参比电极、饱和KCl溶液、敏感膜、电极管C、内参比电极、pH缓冲溶液、敏感膜、电极管D、电极引线、敏感膜、电极管

考题 在CMOS电路中,通常包含两个增强型的PMOS管,一个作为驱动管,一个作为负载管。

考题 场效应管的三个电极分别是()、源极和栅极。

考题 下列场效应管中,无原始导电沟道的为()。A、N沟道JFETB、增强~AIPMOS管C、耗尽型NMOS管D、耗尽型PMOS管

考题 晶体三极管的三个极分别是()、基极、集电极。

考题 单结晶体管的三个电极分别是()、()和()。

考题 填空题MOS场效应晶体管的开启电压指的是:()。所以,NMOS管的开启电压为(),PMOS管的开启电压为()。

考题 问答题为什么在相同工艺条件和相同几何尺寸下NMOS管速度要高于PMOS管?如果相同栅长的N管和P管要达到相同的速度,理论上N管和P管要满足什么条件?

考题 问答题请以PMOS晶体管为例解释什么是衬偏效应,并解释其对PMOS晶体管阈值电压和漏源电流的影响。

考题 填空题晶体三极管的三个极分别是()、基极、集电极。

考题 单选题在MOS逻辑电路中,由PMOS管组成的与非门电路叫做()。A 互补MOS与非门电路B CMOS与非门电路

考题 填空题硅整流二极管的()和()分别是它们的两个电极,可分为()管子和()管子。

考题 判断题PMOS是在N阱上形成P沟道的MOSFET晶体管。A 对B 错

考题 填空题PMOS是在()上形成P型沟道的MOSFET晶体管。

考题 问答题简述PMOS管的具体结构。

考题 填空题三极管对外引出电极分别是()极、发射极和集电极。