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下列关于电流型器件和电压型器件的说法,正确的是()

A.电流型器件多属于双极型器件,有电导调制效应,通流能力很强

B.电流型器件开关速度比较低,所需驱动功率大,驱动电路复杂

C.电压型器件多属于单极型器件,电压驱动

D.电压型器件开关速度快,输入阻抗高,热稳定性好,所需驱动功率小而且驱动电路简单

E.电压型器件通流能力低,导通后通态压降大


参考答案和解析
GTR
更多 “下列关于电流型器件和电压型器件的说法,正确的是()A.电流型器件多属于双极型器件,有电导调制效应,通流能力很强B.电流型器件开关速度比较低,所需驱动功率大,驱动电路复杂C.电压型器件多属于单极型器件,电压驱动D.电压型器件开关速度快,输入阻抗高,热稳定性好,所需驱动功率小而且驱动电路简单E.电压型器件通流能力低,导通后通态压降大” 相关考题
考题 下列半导体器件中属于电流型控制器件的是()。 A.GTRB.MOSFETC.IGBT

考题 控制极信号能控制器件的导通,但不能控制其关断,器件的关断完全由其承受的电压和电流决定,这样的电力电子器件称为( )。 A、半控型器件B、全控型器件C、不可控器件D、自关断器件

考题 GTR为电流型控制器件,用______来控制集电极电流。而IGBT是______控制器件,用栅极电压来控制漏极电流。因此,其对驱动电路的要求不同。

考题 下列大功率半导体器件中的()是全控型器件,但不是电流型器件。 A、GTRB、SCRC、IGBTD、GTO

考题 下列器件属于电压驱动型的是()。A、IGBTB、GTRC、GTOD、晶闸管

考题 硅蓝光电池是(),使用时可直接使用其电压或电流输出信号。A、功率输出型器件B、电压输出型器件C、电流输出型器件

考题 下列全控型开关器件属于电流型驱动的有()。A、IGBTB、GTOC、MOSFETD、SITH

考题 压敏电阻属于()类型的防雷器件。A、电流型B、限流型C、限功率D、限压型

考题 MOSFET晶体管属于()器件。A、电流型控制B、电压型控制C、功率型控制D、P0004

考题 场效应管属于()控制型器件,而半导体三极管则可以认为是()控制型器件。A、电阻B、电压C、电容D、电流E、电功F、电导

考题 三级管属于()A、单极性电压控制型器件B、双极性电压控制型器件C、单极性电流控制型器件D、双极性电流控制型器件

考题 按器件的可控性分类,普通晶闸管属于()。A、全控型器件B、半控型器件C、不控型器件D、电压型器件

考题 普通晶闸管属于()。A、全控型器件B、半控型器件C、不控型器件D、电流型器件

考题 下列全控型开关器件中属于电流型驱动的有()。A、GTRB、IGBTC、MOSFETD、达林顿管

考题 根据控制信号的不同性质,电力电子器件可分为()。A、电阻型B、电感型C、电流型D、电压型

考题 关于分流器,正确的说法是( )。A、是一个电阻器件B、是一个电感器件C、通过检测电压来检测电流D、通过检测电流来检测电压

考题 场效应管是一种()A、电压控制器件B、电流控制器件C、双极型器件D、少子工作的器件

考题 下列关于PowerMOSFET的描述,哪一项是错误的?()A、是电压驱动型器件B、也称为绝缘栅极双极型晶体管C、属于全控型器件D、三个极为漏极、栅极和源极

考题 试比较电流驱动型和电压驱动型器件实现器件通断的原理。

考题 下列属于单极型电压驱动型器件的是()。A、GTRB、GTOC、MOSFETD、IGBT

考题 电力MOSFET和IGBT属于()(电压,电流)驱动型器件。属于电流型驱动的器件有()、()、()等。

考题 下列半导体器件中属于电流型控制器件的是()。A、GTRB、MOSFETC、IGBT

考题 多选题普通晶闸管属于()。A全控型器件B半控型器件C不控型器件D电流型器件

考题 单选题硅蓝光电池是(),使用时可直接使用其电压或电流输出信号。A 功率输出型器件B 电压输出型器件C 电流输出型器件

考题 填空题电力MOSFET和IGBT属于()(电压,电流)驱动型器件。属于电流型驱动的器件有()、()、()等。

考题 单选题控制极信号能控制器件的导通,但不能控制其关断,器件的关断完全由其承受的电压和电流决定,这样的电力电子器件称为()。A 半控型器件B 全控型器件C 不可控器件D 自关断器件

考题 问答题试比较电流驱动型和电压驱动型器件实现器件通断的原理。

考题 单选题下列关于PowerMOSFET的描述,哪一项是错误的?()A 是电压驱动型器件B 也称为绝缘栅极双极型晶体管C 属于全控型器件D 三个极为漏极、栅极和源极