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15、若高价正离子占据低价正离子位置时,该位置带有负电荷,为了保持电中性,会产生正电荷空位或间隙负离子。


参考答案和解析
错误
更多 “15、若高价正离子占据低价正离子位置时,该位置带有负电荷,为了保持电中性,会产生正电荷空位或间隙负离子。” 相关考题
考题 蛋白质的等电点是( ) A、蛋白质溶液的pH等于7时溶液的pHB、蛋白质分子呈正离子状态时溶液的pHC、蛋白质分子呈负离子状态时溶液的pHD、蛋白质的正电荷与负电荷相等时溶液的pHE、以上说法都错

考题 放电电极附近的气体电离产生大量的()。A正离子和电子;B正离子和负离子;C正电荷和负电荷;D中子和电子。

考题 奥桑喷雾仪又称()。A、红外线正离子喷雾机B、紫外光正离子喷雾机C、红外线负离子喷雾机D、紫外光负离子喷雾机

考题 蛋白质的等电点是()。A、能使蛋白质变性沉淀时溶液的pHB、蛋白质分子呈无电荷状态时溶液的pHC、蛋白质分子呈正离子状态时溶液的pHD、蛋白质分子呈负离子状态时溶液的pHE、蛋白质分子正电荷和负电荷相等时溶液的pH

考题 较清洁空气中,下述何种成分高()A、重负离子含量高B、轻正离子含量高C、轻负离子含量高D、重正离子含量高E、以上各种离子均无差别

考题 在磁场强度保持恒定,而加速电压逐渐增加的质谱仪中,最先通过固定的收集器狭缝的是()。A、质荷比最低的正离子B、质量最高的负离子C、质荷比最高的正离子D、质量最低的负离子

考题 电路即()经过的路径。   A、电流B、正离子C、负离子

考题 某化合物在一个具有固定狭峰位置和恒定磁场强度B的质谱仪中分析,当加速电压V慢慢地增加时,则首先通过狭峰的是:()A、质量最小的正离子B、质量最大的负离子C、质荷比最低的正离子D、质荷比最高的正离子

考题 习惯上规定,()定向移动的方向为电流的正方向。A、正电荷B、负电荷C、正离子D、负离子

考题 通常,大气中的正离子与负离子的平均值为()A、正离子与负离子的平均值大致相当B、负离子大于正离子C、正离子大于负离子D、负离子远大于正离子

考题 土壤的导电主要依靠土壤中()的作用。A、自由电子B、正电荷C、正负离子D、正离子

考题 电渗析所用的阴离子离子交换膜的特点是()A、能透过阳离子B、能透过阴离子C、在水中离解成R—SO3--,带负电荷,吸收水中的正离子,并让其通过该膜,而阻止负离子通过D、目前常用的阴离子交换膜为季胺基型E、在水中离解成R—N(CH3)3+,带正电荷,吸收水中的负离子并让其通过,阻止正离子通过该膜

考题 电极附近的气体由于电离而产生大量的正离子和负离子。

考题 电解质溶液中正离子迁移数是指()A、正离子迁移的物质的量B、正离子迁移速率/所有离子迁移速率之和C、正离子迁移电荷数/负离子迁移电荷数D、正离子迁移的物质的量/总导电量的法拉第数

考题 多选题电渗析所用的阳离子离子交换膜的特点是()A能透过阳离子B常用的阳离子交换膜为磺酸基型C在水中离解成R—SO3--,带负电荷,吸收水中的正离子,并让其通过该膜,而阻止负离子通过D常用的阳离子交换膜为季胺基型E在水中离解成R—N(CH3)3+,带正电荷,吸收水中的负离子并让其通过,阻止正离子通过该膜

考题 单选题热缺陷亦称为本征缺陷,是指由热起伏的原因所产生的空位或间隙质点(原子或离子)。生成弗仑克尔缺陷(Frenkeldefect)时,()。A 间隙和空位质点同时成对出现B 正离子空位和负离子空位同时成对出现C 正离子间隙和负离子间隙同时成对出现D 正离子间隙和位错同时成对出现

考题 单选题正离子外流或负离子内流称(  )。A B C D E

考题 单选题电弧中的复合现象主要是正离子和()之间进行的。A 电子B 负离子C 中性质点D 正离子

考题 单选题蛋白质的等电点是(  )。A 蛋白质溶液的pH值等于7时溶液的pH值B 蛋白质分子呈正离子状态时溶液的pH值C 蛋白质分子呈负离子状态时溶液的pH值D 蛋白质的正电荷与负电荷相等时溶液的pH值

考题 单选题通常,大气中的正离子与负离子的平均值为()A 正离子与负离子的平均值大致相当B 负离子大于正离子C 正离子大于负离子D 负离子远大于正离子

考题 单选题对于形成杂质缺陷而言,高价正离子占据低价正离子位置时,该位置带有正电荷,为了保持电中性,会产生()。A 正离子空位B 间隙负离子C 负离子空位D A或B

考题 问答题从负离子的立方密堆积出发, (1)正离子填满所有四面体位置; (2)正离子填满一半四面体位置,如T+位置; (3)正离子填满所有的八面体位置; (4)正离子填满八面体位置的交替层。说明四种情况的结构类型。

考题 填空题离子晶体生成Schttky缺陷时,正离子空位和负离子空位是同时成对产生的,同时伴随()的增加。

考题 问答题从负离子的六方密堆积出发, (1)正离子填满一半的四面体位置; (2)正离子填满所有的八面体位置; (3)正离子填满八面体结构的交替层。 三种情况各产生什么结构类型?

考题 单选题热缺陷亦称为本征缺陷,是指由热起伏的原因所产生的空位或间隙质点(原子或离子)。当离子晶体生成肖特基缺陷(Schottkydefect)时,()。A 正离子空位和负离子空位是同时成对产生的,同时伴随晶体体积的缩小B 正离子空位和负离子空位是同时成对产生的,同时伴随晶体体积的增加C 正离子空位和负离子间隙是同时成对产生的,同时伴随晶体体积的增加D 正离子间隙和负离子空位是同时成对产生的,同时伴随晶体体积的增加

考题 单选题对于形成杂质缺陷而言,低价正离子占据高价正离子位置时,该位置带有负电荷,为了保持电中性,会产生()。A 负离子空位B 间隙正离子C 间隙负离子D A或B

考题 单选题关于光电效应的产物,正确的是(  )。A 韧致辐射、光电子和正离子B 特征放射、光电子和负离子C 特征放射、正电子和正离子D 特征放射、光电子和正离子E 韧致辐射、负电子和负离子

考题 单选题土壤的导电主要依靠土壤中()的作用。A 自由电子B 正电荷C 正离子D 正负离子