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硅太阳能电池的暗伏安特性测量，下列描述正确的是：（）
A．暗伏安特性曲线包括正向导通。
B．暗伏安特性曲线包括反向击穿。
C．正向导通和反向击穿曲线非均匀变化。
D．正向导通和反向击穿曲线曲率均匀变化。
参考答案和解析
输出特性
更多 “硅太阳能电池的暗伏安特性测量，下列描述正确的是：（）A．暗伏安特性曲线包括正向导通。B．暗伏安特性曲线包括反向击穿。C．正向导通和反向击穿曲线非均匀变化。D．正向导通和反向击穿曲线曲率均匀变化。” 相关考题
考题
以下有关晶硅太阳能电池的温度和光照特性说法错误的是（）A、随着温度的升高，短路电流密度升高，开路电压下降，但光电转换效率下降。B、温度对开路电压的影响明显大于对短路电流的影响。C、光照强度对短路电流的影响明显大于对开路电压的影响。D、与晶硅太阳能电池相比，GaAs太阳能电池的禁带宽度较大，所以晶硅太阳能电池具有更好的温度特性。
考题
对于实际电压源描述正确的是（）。A、开路电压不等于理想电压B、伏安特性不受内阻影响，与理想电流源的伏安特性完全相同C、输出电压等于理想电压减去内阻压降D、输出电压等于理想电压加上内阻压降
考题
对于实际电流源描述正确的是（）A、开路电压不等于内阻上的电压RsIsB、伏安特性不受内阻影响，与理想电压源的伏安特性完全相同C、输出电流等于理想电流减去内阻分流D、输出电压等于理想电流加上内阻分流
考题
单选题在非线性元件的伏安特性研究中，下列关于钨丝的说法正确的是（）A
钨丝是线性元件B
钨丝的阻值与温度无关C
钨丝是非线性元件D
钨丝的伏安特性曲线与普通二极管的正向伏安特性曲线类似
考题
单选题下列关于半导体硅太阳能电池的说法，正确的是（）A
利用光的量子特性，使硅材料中的电子发生能级跃迁，产生电势差B
利用光照使硅材料发生化学反应，产生电荷的移动和电位差C
利用光照使硅材料燃烧发电D
太阳光照射到硅材料上，会产生激光
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