考题
N型半导体中的多子是带负电的自由电子载流子,P型半导体中的多子是带正电的空穴载流子,因此说N型半导体带负电,P型半导体带正电。()
此题为判断题(对，错)。
考题
半导体中自由电子与空穴数目相等,这样的半导体叫做()。
A.N型半导体此同时B.P型半导体C.本征半导体D.PN型半导体
考题
在低能量价带上聚集着许多电子,而高能量的导带上几乎没有电子,费米能级位于带隙中间。这种半导体称为()。
A、本征半导体B、P型半导体C、N型半导体D、PN结
考题
电子型半导体又叫P型半导体,空穴型半导体又叫N型半导体。()
此题为判断题(对，错)。
考题
靠空穴导电的半导体叫做电子型半导体,靠电子导电的半导体叫做空穴型半导体。()
此题为判断题(对，错)。
考题
在半导体中,自由电子带()电,空穴带()电。
考题
由于P型半导体中含有大量空穴载流子,N型半导体中含有大量电子载流子,所以P型半导体带正电,N型半导体带负电。()
此题为判断题(对，错)。
考题
若光子能量足够大，则半导体材料中价带的电子吸收光子的能量，从价带越过禁带到达导带。()
考题
N型半导体中多数载流子是电子，因此N型半导体带负电。
考题
N型半导体中的自由电子多于空穴，而P型半导体中的空穴多于自由电 子，是否N型半导体带负电，而P型半导体带正电？
考题
在纯净的半导体硅中掺入硼元素，则构成了电子型半导体
考题
与绝缘体相比较，半导体能带结构的特点是（）。A、导带也是空带B、满带与导带重合C、满带中总是有空穴，导带中总是有电子D、禁带宽度较窄
考题
P型半导体中空穴多于电子，说明P型半导体带正电。
考题
本征半导体中，若掺入微量的五价元素，则形成（）型半导体，其多数载流子是电子；若掺入微量的三价元素，则形成P型半导体，其多数载流子是（）。
考题
本征半导体中，若掺入微量的五价元素，则形成（）型半导体，其多数载流子是（）；若掺入微量的三价元素，则形成（）型半导体，其多数载流子是（）。
考题
对半导体而言，其正确的说法是（）A、P型半导体多数载流子为空穴，所以它带正电B、N型半导体多数载流子为自由电子，所以它带负电C、P型半导体和N型半导体本身都不带电D、在N型半导体中，空穴是多子，自由电子是少子
考题
P型半导体中的空穴数目多于自由电子，则P型半导体呈现的电性为（）A、负电B、正电C、电中性
考题
由于P型半导体中含有大量空穴载流子，N型半导体中含有大量电子载流子，所以P型半导体带正电，N型半导体带负电。
考题
半导体中自由电子与空穴数目相等，这样的半导体叫做（）。A、N型半导体此同时B、P型半导体C、本征半导体D、PN型半导体
考题
问答题N型半导体中的自由电子多于空穴，而P型半导体中的空穴多于自由电 子，是否N型半导体带负电，而P型半导体带正电？
考题
填空题P型半导体是向本征半导体中参入低价元素形成的。P型半导体中的导电粒子为（）。本征半导体的费米能级位于导带与禁带的中间。费米能级的位置随电子浓度的增加而（）。
考题
填空题半导体的中，（）称为费米能级；对本征半导体，费米能级位于（），表示（）。费米能级靠近导带，表示（），是（）型半导体；费米能级靠近价带，表示（），是（）型半导体。
考题
填空题由施主能级激发到导带中去的电子来导电的半导体，称为（）。
考题
单选题半导体（）电子吸收光子能量跃迁入（），产生电子—空穴对的现象成为本征吸收。A
价带，导带B
价带，禁带C
禁带，导带D
导带，价带
考题
单选题与半导体相比较，绝缘体的价带电子激发到导带所需的能量（）A
比半导体的大B
比半导体的小C
与半导体的相等
考题
单选题若某半导体导带中电子出现几率为零，则此半导体必定（）。A
处于绝对零度B
不含任何杂质C
不含任何缺陷D
不含施主
考题
问答题N型半导体中的多子是带负电的自由电子载流子，P型半导体中的多子是带正电的空穴载流子，因此说N型半导体带负电，P型半导体带正电。上述说法对吗？为什么？
考题
判断题由于P型半导体中含有大量空穴载流子，N型半导体中含有大量电子载流子，所以P型半导体带正电，N型半导体带负电。A
对B
错