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只考虑栅极电容时，若设最小晶体管电容为基本单位，则有

A．最小反相器的输入电容为2

B．最小NOR2的输入电容为4

C．最小NAND的输入电容为3

D．标准门的输入电容为6

参考答案和解析
最小反相器的输入电容为 2;最小 NAND 的输入电容为 3
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考题 若两只电容器的电容不等，而它们两端的电压一样，则电容大的电容器的电荷量多，电容小的电容器带的电荷小。( )
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考题 在DTL型调节器中,只进行PI运算时,微分电容和微分电阻的状态为()。 A、电容短路，电阻短路;B、电容开路，电阻短路;C、电容开路，电阻开路;D、电容短路，电阻开路
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考题 关于电容电流的叙述，正确的是A.电容电流随KV的升高而减小B.电容电流透视、摄影时都抵偿C.电容电流只在摄影时抵偿D.电容电流只在透视时抵偿E.以上都不正确
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考题 SP100－C3型高频设备接通电源加热后阳极电流为零,这种情况多半是()的问题。 A.栅极电路B.阳极槽路电容器C.栅极电路上旁路电容器D.栅极回馈线圈到栅极这一段有断路的地方
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考题 有三只相同值(设电容值为C)的电容,先将其中两个串联后,再与另一只并联,则总电容为()。 A.3C/2B.2C/3C.2CD.C
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考题 若两只电容器的电容不等，而它们两端的电压一样，则电容大的电容器带的电荷量多，电容小的电容器带的电荷少。
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考题 若两只电容器的电容不等，而它们两端的电压一样，则电容大的电容器带的电荷量多，电容小的电容器带的电荷少。A对B错
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考题 关于电容电流的叙述，正确的是（）A、电容电流随千伏的升高而减小B、电容电流透视、摄影时都抵偿C、电容电流只在透视时抵偿D、电容电流只在摄影时抵偿E、以上都不正确
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考题 若把二只2μF的电容器并联后，再与一只6μF的电容器串联，其总的电容量是多少？
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考题 若单只电容器的电容量不够，可将两只或几只电容器（）。A、串联；B、并联；C、混联；D、任意。
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考题 有两只电容器A、B，A的电容为20μF、耐压为450V；B的电容为60μF、耐压为300V，现串联当作一只耐压600V的电容器使用。
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考题 对电容电流的叙述，错误的是（）A、电容电流随kV的升高而增加B、电容电流只有几个毫安C、电容电流只在透视时抵偿D、电容电流只在摄影时抵偿E、电容电流只在高压发生时产生
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考题 电容放电式晶体管点火装置中的储能电容器的电容量一般为（）。A、0.1~0.15μfB、0.2~0.25μfC、0.5~2μf
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考题 SP100-C3型高频设备接通电源加热后阳极电流为零，这种情况多半是（）的问题。A、栅极电路B、阳极槽路电容器C、栅极电路上旁路电容器D、栅极回馈线圈到栅极这一段有断路的地方
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考题 有三只相同值（设电容值为C）的电容，先将其中两个串联后，再与另一只并联，则总电容为（）。A、3C/2B、2C/3C、2CD、C
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考题 关于电容器串、并联后电容大小的叙述，正确的是（）。A、两只电容器串联后电容减小B、两只电容器串联后电容不变C、两只电容器并联后电容减小D、两只电容器并联后电容不变
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考题 为达到安装较少的补偿设备容量的目的，选变压器分接头的情况应为（）。A、最小方式时电容器全部投入B、最小方式时电容器全部退出C、最大方式时电容器全部投入D、最大方式时电容器全部退出
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考题 若电容元件的电量与电压之间为（）关系，则称该电容元件为线性电容元件。
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考题 SP100-C3型高频设备半高压接通后阳极有电流。产生此故障的原因有（）。A、阳极槽路电容器B、栅极电路上旁路电容器C、栅极回馈线圈到栅极这一段有断路的地方D、以上都是
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考题 影响放大器下限频率fL的因素是（）。A、晶体管β值B、晶体管α值C、PN结电容D、耦合电容
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考题 有一只电容为3μF的电容器，当两端所接电压为400V时，电容器储存的能量为0.0012J。
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考题 绝缘栅型场效应管的输入电阻特别高，当栅极悬空时，在栅极感应出的电荷很难泄放，由于极间电容较小，少量电荷就会使栅级产生较高的电压，因此栅极必须悬空。
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考题 晶体管电路中极间电容和由于导线排列不合理引起的电容，都属于寄生电容。
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考题 并联电容器的总容量（）。A、小于串联电容器的总容量B、小于并联电容器中最小的一只电容器的容量C、等于并联电容器电容量的和D、等于并联电容器各电容量倒数之和的倒数
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考题 问答题MOS晶体管的本征电容通常是指哪几部分电容？MOS晶体管的寄生电容通常是指哪几部分电容？
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考题 单选题对电容电流的叙述，错误的是（）A 电容电流随kV的升高而增加B 电容电流只有几个毫安C 电容电流只在透视时抵偿D 电容电流只在摄影时抵偿E 电容电流只在高压发生时产生
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