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当施主能级ED与费米能级EF相等时,电离施主的浓度为施主浓度的()倍。

A.1/2

B.1/3

C.1/4

D.1/5


参考答案和解析
C
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考题 N型半导体中杂质原子所形成的局部能级(也称施主能级),在能带中应处于( )。《》( )A.满带中 B.导带中 C.禁带中,但接近满带顶 D.禁带中,但接近导带底

考题 当纳米粒子尺寸下降到某一值时,金属费米能级附近的电子能级由准连续变为离散能级的现象以及纳米半导体粒子能隙的调制现象,均被称为()。

考题 表面态中性能级位于费米能级以上时,该表面态为();A、施主态B、受主态C、电中性

考题 简述费米能级的意义及半导体与费米能级的关系。

考题 费米能级

考题 关于GSM室内直放站施主信号选取说法正确的是()A、施主天线离施主基站不能太近,否则会干扰基站B、施主天线离施主基站越近越好,信号太强可以加衰减器C、施主天线安装点越高施主信号质量越好D、施主天线尽量安装在六层以下,施主信号质量应该“纯、强、稳”

考题 名词解释:结合能,费米能级,样品功函数,电离能,垂直电离能,绝热电离能。

考题 施主信号选取时应保证(),移动通信直放站施主端口接收到的施主信号强度应满足()。

考题 最有效的复合中心能级位置在Ei附近;最有利陷阱作用的能级位置在()附近,常见的是少子陷阱。A、EA,B、ED,C、EF,D、Ei

考题 填空题P型半导体是向本征半导体中参入低价元素形成的。P型半导体中的导电粒子为()。本征半导体的费米能级位于导带与禁带的中间。费米能级的位置随电子浓度的增加而()。

考题 填空题半导体的中,()称为费米能级;对本征半导体,费米能级位于(),表示()。费米能级靠近导带,表示(),是()型半导体;费米能级靠近价带,表示(),是()型半导体。

考题 填空题施主能级和导带底之间的能量差,称为()。

考题 填空题由施主能级激发到导带中去的电子来导电的半导体,称为()。

考题 判断题费米能级是,在T=0K时,金属原子中电子被填充的最高能级,以下能级全满,以上能级全空。A 对B 错

考题 单选题费米能级Ef的意义是电子占据率为()时所对应的能级。A 0;B 0.1;C 0.2;D 0.5;

考题 单选题半导体中施主能级的位置位于()中。A 禁带B 价带C 导带D 满带

考题 问答题名词解释:结合能,费米能级,样品功函数,电离能,垂直电离能,绝热电离能。

考题 单选题对于N型半导体来说,以下说法正确的是()A 费米能级靠近导带底B 空穴为多子C 电子为少子D 费米能级靠近靠近于价带顶

考题 单选题表面态中性能级位于费米能级以上时,该表面态为();A 施主态B 受主态C 电中性

考题 问答题什么是施主杂质能级?什么是受主杂质能级?它们有何异同?

考题 单选题半导体中施主能级的位置位于()。A 禁带B 满带C 导带D 价带

考题 名词解释题半导体施主能级

考题 填空题施主信号选取时应保证(),移动通信直放站施主端口接收到的施主信号强度应满足()。

考题 单选题对于P型半导体来说,以下说法正确的是()A 电子为多子B 空穴为少子C 能带图中施主能级靠近于导带底D 能带图中受主能级靠近于价带顶

考题 问答题以在Ge半导体掺入As为例,简述为什么类氢杂质能级的施主能级位于导带附近?

考题 问答题试描述施主与受主的电离过程。

考题 单选题电子亲和势,是指电子从()到真空能级的能级差。A 导带底能级B 价带顶能级C 费米能级D 施主能级