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在本征半导体中,本征激发到空带中的电子数目 (大于/等于/小于)余下的满带中的空穴数目。


参考答案和解析
自由电子和空穴
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考题 N型半导体中,自由电子的数目和空穴的数目()。 A、自由电子数目多B、空穴的数目多C、相同D、不能确定

考题 半导体中自由电子与空穴数目相等,这样的半导体叫做()。 A.N型半导体此同时B.P型半导体C.本征半导体D.PN型半导体

考题 当本征半导体温度升高时,电子和空穴的数目都()。

考题 在本征半导体中,电子浓度()空穴浓度。

考题 在N型半导体中,电子数目与空穴数目相比()。 A、电子数多于空穴数B、电子数少于空穴数C、电子数等于空穴数D、电子数与空穴数之比为2:3

考题 本征半导体入三价元素后空穴数目大量增加,空穴导电成为这种半导体的主要导电方式,称为空穴半导体或 P型半导体。( ) 此题为判断题(对,错)。

考题 如果半导体中的自由电子和空穴的数目相等,这样的半导体称为()半导体。 A、N型B、P型C、本征

考题 N型半导体中,电子数目少于空穴数目,其导电能力主要由空穴决定。P型半导体中,电子数目多于空穴数目,其导电能力主要由电子决定。

考题 本征半导体中的自由电子和空穴总是成对出现的,同时产生的。()

考题 半导体中自由电子和空穴数目相等这样半导体叫做()。A、N型半导体B、P型半导体C、本征半导体

考题 半导体中的自由电子和空穴的数目相等,这样的半导体叫做()。A、N型半导体B、P型半导体C、杂质型半导体D、本征型半导体

考题 在本征半导体中,自由电子和空穴是独自产生的,互相无关联。

考题 本征半导体中,空穴对外呈正电,其电量与电子电量相等。

考题 P型半导体中,电子数目与空穴数目相比()。A、电子数多于空穴数B、电子数少于空穴数C、电子数等于空穴数D、电子数与空穴数之比为3:2

考题 本征半导体温度升高后,自由电子和空穴的变化情况是()。A、自由电子数目增加,空穴数目不变B、空穴数目增多,自由电子数目不变C、自由电子和空穴数目都增多,且增量相同D、自由电子和空穴数目不变

考题 在本征半导体中,自由电子浓度()空穴浓度;在P型半导体中,自由电子浓度()空穴浓度;在N型半导体中,自由电子浓度()空穴浓度。

考题 本征半导体载流子()A、自由电子和空穴的浓度无法确定B、自由电子的浓度小于空穴的浓度C、自由电子的浓度大于空穴的浓度D、自由电子和空穴的浓度相等

考题 本征半导体温度升高以后()。A、自由电子增多,空穴数基本不变B、空穴数增多,自由电子数基本不变C、自由电子数和空穴数都增多,且数目相同

考题 本征半导体中载流子的数目比杂质半导体中载流子的数目().

考题 在本征半导体中,自由电子浓度()空穴浓度。A、大于B、等于C、小于

考题 本征半导体温度升高后()。A、自由电子数目增多,空穴数目基本不变B、空穴数目增多,自由电子数目基本不变C、自由电子和空穴数目都增多,且增量相同D、自由电子和空穴数目不变

考题 本征半导体中,自由电子浓度()空穴浓度;在P型半导体中,自由电子浓度()空穴浓度;在N型半导体中,自由电子浓度()空穴浓度。

考题 半导体中自由电子与空穴数目相等,这样的半导体叫做()。A、N型半导体此同时B、P型半导体C、本征半导体D、PN型半导体

考题 本征半导体由于热运动产生载流子使本征半导体中有()A、电子载流子B、空穴载流子C、电子载流子和空穴载流子

考题 本征半导体中的自由电子和空穴是成对出现的。

考题 单选题半导体中的自由电子和空穴的数目相等,这样的半导体称为()半导体。A N型B P型C 本征D PNP型

考题 单选题半导体()电子吸收光子能量跃迁入(),产生电子—空穴对的现象成为本征吸收。A 价带,导带B 价带,禁带C 禁带,导带D 导带,价带

考题 单选题本征半导体吸收光子能量使价带中的电子激发到导带,这一过程称为()A 本征吸收B 杂质吸收C 激子吸收D 晶格吸收