网友您好， 请在下方输入框内输入要搜索的题目：

题目内容 （请给出正确答案）

MOS管的跨导可以用来表征栅电压的控制能力，跨导越大，表示控制能力越强 。

参考答案和解析
√
更多 “MOS管的跨导可以用来表征栅电压的控制能力，跨导越大，表示控制能力越强 。” 相关考题
考题 用导梁法架设混凝土梁时,导梁纵拖时抗倾覆稳定系数不得小于(),导梁长度应设计为大于两个桥跨长度。当条件允许时,可在跨中设中间临时墩。
查看答案
考题 某场效晶体管,在漏、源电压保持不变的情况下,栅、源电压变化为2V时,相应的漏极电流变化为4mA,该管的跨导是()。 A、0.5mA/VB、1mA/VC、2mA/V
查看答案
考题 自我控制能力与成功高度成正相关,自我控制能力越强,成功的可能性就越大。() 此题为判断题(对，错)。
查看答案
考题 跨导
查看答案
考题 在MOS门电路中，欲使NMOS管导通可靠，栅极所加电压应小于开启电压UTN。（）
查看答案
考题 绝缘栅双极晶体管的导通与关断是由（）来控制．A、栅极电流B、发射极电流C、栅极电压D、发射极电压
查看答案
考题 换相失败的实质是（）不能满足晶闸管恢复控制能力的需求。A、触发角B、关断角C、换相角D、导通角
查看答案
考题 跨导S在数值上等于阳极电压Ua为常数的条件下，栅极电压Ug微量变化所引起的阳极电流Ia的相应改变。（）对阳极电流的控制能力很强。A、S越大，说明栅极电流B、S越大，说明栅极电压C、S越小，说明栅极电压D、S越大，说明栅极电流
查看答案
考题 跨导gm反映了场效应管（）对（）控制能力，其单位为（）或（）。
查看答案
考题 电子三极管跨导的定义式为（）
查看答案
考题 衡量场效应管控制能力的主要参数是（）A、电流放大倍数B、电压放大倍数C、跨导D、转移电阻
查看答案
考题 N沟道JFET的跨导gm是（）A、一个固定值B、随电源电压VDD增加而加大C、随静态栅源电压VGS增加而加大D、随静态栅源电压VGS增加而减小
查看答案
考题 场效应管跨导gm表示（）对漏电流iD的控制能力的强弱。
查看答案
考题 晶体管导通期间所对应的角度称为（），它的值越大，负载上的输出电压越高。A、导通角B、控制角C、功角
查看答案
考题 绝缘栅双极晶体管的导通与关断是由栅极电压来控制的。
查看答案
考题 绝缘栅双极晶体管的导通与关断是由（）来控制的。A、栅极电流B、发射极电流C、栅极电压D、发射极电压
查看答案
考题 场效应晶体管的主要参数有（）A、开启电压B、低频跨导C、漏源击穿电压D、最大耗散功率E、最大漏极电流
查看答案
考题 场效应管的低频跨导是描述栅极电压对漏极电流控制作用的重要参数，其值愈大，场效应管的控制能力愈强。
查看答案
考题 在MOS门电路中，欲使FMO3管导通，栅极所加电压应（）开启电压（Ure0）。A、大于B、小于C、等于D、任意
查看答案
考题 跨导S在数值上等于阳极电压Ua为常数的条件下，栅极电压Ug微量变化所引起的阳极电流Ia的相应改变。（）对阳极电流的控制能力越强。A、S越大，说明栅极电压B、S越大，说明栅极电流C、S越小，说明栅极电压D、S越小，说明栅极电流
查看答案
考题 利用栅源电压控制漏极、源极之间的导电沟道的形成或消失，可以将MOS管作为开关器件使用。
查看答案
考题 TCP／IP具有跨平台、可路由的特点，可以实现导构网络的互联，同时也可以跨网段通信。
查看答案
考题 多选题关于晶闸管导通角α的说法错误的是（）。A导通角α越大，则晶闸管整流输出电压越高B导通角α越大，则晶闸管整流输出电压越低C导通角α越大，则电动机的转速越低D控制极电压越高，则导通角α越小
查看答案
考题 填空题电子三级管跨导的定义式为（）
查看答案
考题 填空题用导梁法架设混凝土梁时，导梁纵拖时抗倾覆稳定系数不得小于（），导梁长度应设计为大于两个桥跨长度。当条件允许时，可在跨中设中间临时墩。
查看答案
考题 名词解释题跨导
查看答案
考题 单选题MOSFET的温度特性体现为：（）。A 温度升高，载流子迁移率升高，跨导升高，阀值电压升高B 温度升高，载流子迁移率升高，跨导下降，阀值电压下降C 温度升高，载流子迁移率下降，跨导下降，阀值电压升高D 温度升高，载流子迁移率下降，跨导下降，阀值电压下降
查看答案
考题 填空题MOSFET的跨导的定义是（），反映了（）对（）的控制能力。
查看答案
热门标签
最新试卷