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位错，层错等缺陷越多，半导体的少子寿命越短

参考答案和解析
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考题 N型半导体中,自由电子为多数载流子,空穴为少子。() 此题为判断题(对，错)。
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考题 变压器的负荷超过额定值越多,寿命越短。( ) 此题为判断题(对，错)。
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考题 P型半导体中,空穴是多子,自由电子是少子() 此题为判断题(对，错)。
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考题 钢丝绳的外层股数越多，钢丝绳与滑轮槽或卷筒槽接触的情况越好，寿命就越短。此题为判断题(对，错)。
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考题 面包配方中盐的用量越多，发酵时间越短。此题为判断题(对，错)。
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考题 在本征半导体中，（）是多子，由（）形成。在P型半导体中，（）是少子，由（）形成。
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考题 P（N）型半导体的多子、少子
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考题 变压器长期运行的工作温度超过规定的标准温度越多，其寿命就越短。
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考题 焊料中含有卤素越多，烙铁头寿命越（）A、越长B、越短
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考题 不属于面缺陷（）。A、相界面B、位错C、堆垛层错D、亚晶界
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考题 属于晶体缺陷中面缺陷的是（）A、位错B、螺旋位错C、肖特基缺陷D、层错
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考题 本征半导体掺入微量的（）元素，则形成P型半导体，其多子为（），少子为（）。
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考题 考虑一个特殊的半导体样品，通过计算，已知少子辐射复合寿命为150μs，俄歇复合寿命为50μs，陷阱复合过程的寿命为25μs，假设没有其它的有效复合过程，那么该材料少子的净寿命是（）A、15μsB、225μsC、1.5μsD、20μs
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考题 在本征半导体中加入少量的五价元素后，可形成（）A、P型半导体，其少子为自由电子B、N型半导体，其多子为自由电子C、P型半导体，其少子为空穴D、N型半导体，其多子为空穴
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考题 在N型半导体中，多子是（），少子是（）；在P型半导体中，多子是（），少子是（）
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考题 冷变形金属中产生大量的空位、位错等缺陷，这些缺陷的存在，（）
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考题 名词解释题P（N）型半导体的多子、少子
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考题 判断题铁鞋制动时，制动的轴数越多，铁鞋滑距越短。A 对B 错
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考题 判断题恒星的寿命取决于质量，质量越大寿命越短A 对B 错
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考题 判断题复利情况下，计算周期越短，到期本息和越多。A 对B 错
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考题 判断题开发软件时投入的人员越多，开发时间就越短.A 对B 错
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考题 单选题属于晶体缺陷中面缺陷的是（）A 位错B 螺旋位错C 肖特基缺陷D 层错
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考题 单选题晶体中的线缺陷包括（）A 小角晶界B 空位C 螺位错D 堆垛层错
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考题 单选题不属于面缺陷（）。A 相界面B 位错C 堆垛层错D 亚晶界
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考题 单选题半导体受光照、外电场作用，载流子浓度就要发生变化，这时半导体处于非平衡态。光照时（）的浓度几乎不变，（）的浓度却大大增加，因而可以说，一切半导体光电器件对光的响应都是（）的行为。请选择正确的答案（）A 多子---少子---少子；B 少子---多子---多子；C 多子---多子---多子D 少子---少子---少子。
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考题 判断题矿尘颗粒越细，飘浮的时间越短，进入人体的机会越多。A 对B 错
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考题 单选题属于线缺陷（）。A 堆垛层错B 孪晶界C 位错D 间隙原子
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考题 判断题空位、小角晶界、螺位错、堆垛层错都是晶体中的线缺陷。A 对B 错
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