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考虑一个特殊的半导体样品，通过计算，已知少子辐射复合寿命为150μs，俄歇复合寿命为50μs，陷阱复合过程的寿命为25μs，假设没有其它的有效复合过程，那么该材料少子的净寿命是（）

  • A、15μs
  • B、225μs
  • C、1.5μs
  • D、20μs

参考答案

更多 “考虑一个特殊的半导体样品，通过计算，已知少子辐射复合寿命为150μs，俄歇复合寿命为50μs，陷阱复合过程的寿命为25μs，假设没有其它的有效复合过程，那么该材料少子的净寿命是（）A、15μsB、225μsC、1.5μsD、20μs” 相关考题
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考题 SPV技术就是利用光生伏特效应使太阳的辐射能通过半导体物质间接转变为电能的一种技术。()
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考题 P型半导体中,空穴是多子,自由电子是少子() 此题为判断题(对，错)。
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考题 计算灰体表面间的辐射传热时，通常需要计算某个表面的冷热量损失q，若已知黑体辐射力为Eb，有效辐射为J，投入辐射为G，正确的计算式是（　　）。 A． q=Eb－G B． q=Eb－J C． q=J－G D． q=Eb－G
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考题 在P型半导体中（）为少子.A、自由电子B、正离子C、空穴
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考题 在本征半导体中，（）是多子，由（）形成。在P型半导体中，（）是少子，由（）形成。
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考题 （）传感器可用于医疗上-50℃～150℃之间的温度测量。A、金属辐射式B、热电偶C、半导体9015三极管D、比色计
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考题 P（N）型半导体的多子、少子
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考题 计算题：已知一个电阻是44Ω，使用时通过的电流是5A，试求电阻两端的电压？已知：R＝44Ω、I＝5A求：U
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考题 本征半导体掺入微量的（）元素，则形成P型半导体，其多子为（），少子为（）。
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考题 （）是通过受激辐射产生光的器件。A、发光激光器B、半导体激光器C、半导体二极管D、发光二极管
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考题 （）传感器可用于医疗上-50℃～150℃之间的温度测量。A、金属辐射式B、热电偶C、半导体三极管D、比色计
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考题 导带忠的电子和价带忠的空穴复合时主要以（）释放能量。A、辐射复合B、俄歇复合C、通过复合中心复合D、以上三种都可以
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考题 在本征半导体中加入少量的五价元素后，可形成（）A、P型半导体，其少子为自由电子B、N型半导体，其多子为自由电子C、P型半导体，其少子为空穴D、N型半导体，其多子为空穴
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考题 对半导体而言，其正确的说法是（）A、P型半导体多数载流子为空穴，所以它带正电B、N型半导体多数载流子为自由电子，所以它带负电C、P型半导体和N型半导体本身都不带电D、在N型半导体中，空穴是多子，自由电子是少子
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考题 在P型半导体中，空穴是多子，自由电子是少子。
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考题 在N型半导体中，多子是（），少子是（）；在P型半导体中，多子是（），少子是（）
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考题 杂质半导体中（）的浓度对温度敏感。A、少子B、多子C、杂质离子D、空穴
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考题 在杂质半导体中，少子浓度主要取决于（）A、掺入杂质的浓度B、材料C、温度
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考题 在本征半导体中，（）是同时出现的.A、多子和少子B、正离子和负离子C、自由电子和空穴
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考题 名词解释题P（N）型半导体的多子、少子
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考题 问答题LED是通过自发辐射过程发光的器件，与通过受激辐射发光的半导体激光器相比，其优缺点是什么？
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考题 单选题（）传感器可用于医疗上-50℃～150℃之间的温度测量。A 金属辐射式B 热电偶C 半导体9015三极管D 比色计
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考题 填空题在P型半导体中空穴是多子，（）是少子。
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考题 单选题半导体受光照、外电场作用，载流子浓度就要发生变化，这时半导体处于非平衡态。光照时（）的浓度几乎不变，（）的浓度却大大增加，因而可以说，一切半导体光电器件对光的响应都是（）的行为。请选择正确的答案（）A 多子---少子---少子；B 少子---多子---多子；C 多子---多子---多子D 少子---少子---少子。
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考题 问答题杂质半导体中，多子和少子是如何形成的？
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考题 单选题（）传感器可用于医疗上-50℃～150℃之间的温度测量。A 金属辐射式B 热电偶C 半导体三极管D 比色计
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