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金属和N型半导体具有不同的功函数，该值越大说明电子越不易脱离物体。
参考答案和解析
在半导体内部，设本征费米能级为E i0 ，则热平衡时半导体内部的电子浓度为 在表面附近的空间电荷区内电子的附加电势能为-qψ(x)，本征费米能级为 E i (x)=E i0 -qψ(x) 空间电荷区中电子浓度为 在半导体表面 n s =n 0 e ψ s /(V T ) 其中，ψ s 是半导体的表面势．取半导体内为电势零点，则半导体表面势ψ s =-ψ 0 ，ψ 0 为空间电荷区内建电势差．于是在M-S界面，电子浓度为 n s =n 0 e -ψ 0 /(V T ) =N c e -V n /(V T ) ·e -ψ 0 /(V T ) =N c 即 n s =N c $当有外加电压时， n s =N c 由气体动力论，单位时间进入金属的电数为 ，于是电子从半导体越过势垒向金属发射所形成的电流密度为 与此同时电子从金属向半导体中发射形成的电流密度为 总电流密度为 将N c 和 代入上式，得到 J=R * T 2 (e V/V T -1) =J 0 (e V/V T -1) 其中，J 0 =R * T 2 ，R * =4πm * qK 2 /h 3 ． 当肖特基势垒被施加反向偏压-V R 时，将式中的V换成-V R 即可得到反向偏压下的电流-电压关系．于是，M-S结在正反两种偏压下的电流-电压关系可以统一用下式表示： J=J 0 (e V/V T -1) 或 I=I 0 (e V/nV T -1)
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本征半导体中具有自由电子和空穴两种载流子，但数量很少，导电能力差。在半导体中加入微量三价元素，使空穴增多，形成P型半导体；如掺入少量五价元素，使电子增多，形成N型半导体。P型半导体中多数载流子是___，N型半导体中多数载流子是___；多数载流子的运动称为___，少数载流子的运动称为___。A、自由电子，空穴；扩散，飘移B、空穴，自由电子；漂移，扩散C、空穴，自由电子；扩散，漂移D、自由电子，空穴；漂移，扩散E、自由电子，空穴；扩散，扩散
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怎样区分N型半导体和P型半导体（）A、N型半导体掺入5价元素，P型半导体掺入3价元素B、N型半导体掺入3价元素，P型半导体掺入5价元素C、N型半导体和P型半导体的掺杂相同，但接头不同D、N型半导体的空穴过剩，P型半导体的空穴不
考题
关于P型．N型半导体内参与电的粒子，下列说法正确的是（）A、无论是P型还是N型半导体，参与导电的都是自由电子和空穴B、P型半导体中只有空穴导电C、N型半导体中只有自由电子参与导电D、在半导体中有自由电子.空穴.离子参与导电
考题
N型半导体自由电子数远多于空穴数，这些自由电子是多数载流子。而空穴是少数载流子，导电能力主要靠自由电子，称为电子型半导体，简称（）。A、W型半导体B、U型半导体C、P型半导体D、N型半导体
考题
关于屏蔽常数σ，下列说法错误的是（）A、屏蔽电子的数目越多，σ值越大B、被屏蔽电子离核越远，σ值越大C、某电子的屏蔽常数σ反映该电子屏蔽原子核作用的大小D、当n和z相同时，某电子的σ值越大，该电子的能量越低
考题
对半导体而言，其正确的说法是（）A、P型半导体多数载流子为空穴，所以它带正电B、N型半导体多数载流子为自由电子，所以它带负电C、P型半导体和N型半导体本身都不带电D、在N型半导体中，空穴是多子，自由电子是少子
考题
单选题关于P型．N型半导体内参与电的粒子，下列说法正确的是（）A
无论是P型还是N型半导体，参与导电的都是自由电子和空穴B
P型半导体中只有空穴导电C
N型半导体中只有自由电子参与导电D
在半导体中有自由电子.空穴.离子参与导电
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