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金属-半导体功函数差

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考题 纯净半导体的导电能力不比金属导体差。()A.正确;B.错误;

考题 纯净半导体的导电能力不比金属导体差。()此题为判断题(对,错)。

考题 关于功的说法正确的是()。A、功是状态参数B、功与过程无关C、功没有负值D、功是过程的函数

考题 电阻温度计是基于金属导体或半导体的______与本身的______存在一定的函数关系的原理来实现测温的。

考题 危害半导体工艺的典型金属杂质是()。A、2族金属B、碱金属C、合金金属D、稀有金属

考题 互补金属氧化物半导体

考题 CCD在中文名称是().A、半导体材料B、电荷耦合部件C、传感器D、金属半导体

考题 常用()作为霍尔元件。A、金属B、N型半导体C、P型半导体D、绝缘体

考题 半导体金属都有自由电子空穴。

考题 纯净半导体的导电能力不比金属导体差。()

考题 简述什么是功函数。

考题 热电阻是利用电阻与温度呈现一定函数关系的()制成的感温元件.A、金属导体B、半导体C、金属导体或半导体D、绝缘体

考题 为什么霍尔元件不用金属制作,而用半导体,且用N型半导体制作?

考题 金属导体和半导体有个显著差别在于金属的电阻率随()而(),而半导体的电阻率随()而()(少数除外)。

考题 金属是半导体。

考题 高压电缆结构从内到外分()A、芯线、绝缘层、保护层B、芯线、保护层、半导体层、金属网层、绝缘层C、芯线、绝缘层、半导体层、金属网层、保护层D、芯线、半导体层、绝缘层、金属网层、保护层E、芯线、半导体层、绝缘层、保护层、金属网层

考题 霍尔传感器通常选择()材料制作。A、N型半导体B、P型半导体C、金属导体D、导体和半导体

考题 半导体应变片的灵敏系数比金属丝(),但是半导体材料的温度系数(),应变时非线性比较(),适用范围()。工作原理基于半导体材料的()。

考题 填空题金属-半导体接触分:()三种。当半导体衬底浓度 低于()时,只能产生(),当半导体衬底浓度 高于()时 可实现()。

考题 填空题电阻温度计是基于金属导体或半导体的()与本身的()存在一定的函数关系的原理来实现测温的。

考题 问答题为什么霍尔元件不用金属制作,而用半导体,且用N型半导体制作?

考题 单选题金属应变片和半导体应变片主要区别描述错误的是()A 金属应变片主要利用压阻效应B 金属应变片主要利用导体几何尺寸变换引起电阻变化C 半导体应变片主要利用电阻率变化引起电阻变化D 半导体应变片相比金属应变片的灵敏度高,但非线性误差大。

考题 单选题热电阻是利用电阻与温度呈现一定函数关系的()制成的感温元件.A 金属导体B 半导体C 金属导体或半导体D 绝缘体

考题 单选题高压电缆结构从内到外分(  )。A 芯线、半导体层、绝缘层、金属网层、保护层B 芯线、绝缘层、保护层C 芯线、绝缘层、半导体层、金属网层、保护层D 芯线、保护层、半导体层、金属网层、绝缘层E 芯线、半导体层、绝缘层、保护层、金属网层

考题 问答题金属-半导体接触时,请基于溢出功大小阐述接触电效应假

考题 多选题对于CMOS晶体管,要得到良好受控的阈值电压,需要控制()等工艺参数。A氧化层厚度;B沟道中掺杂浓度;C金属半导体功函数;D氧化层电荷。

考题 判断题纯净半导体的导电能力不比金属导体差。()A 对B 错