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根据晶体场理论 ，形成高自旋配合物的理论判据是分裂能＜ 成对能

参考答案和解析
分裂能 ＜ 成对能
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考题 根据晶体场理论,高自旋配合物的理论判据是()。 A.分裂能成对能B.电离能成对能C.分裂能成键能D.分裂能成对能
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考题 在八面体场中,既能形成低自旋又能形成高自旋配合物的过渡元素的d电子数应为()。 A.1～3个B.2～5个C.4～6个D.6～9个
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考题 根据晶体场理论，高自旋配合物具有的性质是（）A、分裂能成键能B、分裂能成对能C、分裂能成对能D、电离能成对能E、分裂能=成对能
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考题 已知H2O为弱场配体，CN－为强场配体。利用晶体场理论说明[Fe（H2O）6]3+和[Fe（CN）6]3–是低自旋配合物还是高自旋配合物，并写出中心原子的d电子排布。
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考题 已知[CoCl4]2-为高自旋的四面体配合物，分别用价键理论和晶体场理论讨论它的成键情况。
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考题 教育经验总结能形成对教育实践具有间接指导作用旳教育理论。
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考题 抗热冲击断裂性：（）-强度判据；抗热冲击损伤性：（）-断裂能判据
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考题 下列关于配合物高低自旋的说法，正确的是（）A、四面体构型多为低自旋B、配体性质对配合物高低自旋无影响C、中心离子氧化态越高，配合物越易呈高自旋状态D、中心离子半径越大，配合物越易呈低自旋状态
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考题 当ΔO＞P时，过渡金属离子能形成（）自旋八面体配合物；当ΔO＜P时，则形成（）自旋八面体配合物；前者的CFSE与P（）关。
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考题 关于高低自旋的判断规则，下列说法正确的是（）A、第二、三系列过渡金属，几乎都形成高自旋配合物B、除[Co（H2O）6]3+外，其余金属离子与H2O形成的配合物均是高自旋C、所有F-配合物均为低自旋D、所有CN-配合物均为高自旋
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考题 下列关于配合物的叙述中错误的是（）A、高自旋的八面体配合物的CFSE不一定小于低自旋的CFSEB、同种元素的内轨型配合物比外轨型配合物稳定C、中心离子的未成对电子愈多，配合物的磁矩愈大D、价键理论的内轨型配合物对应着晶体场理论的高自旋配合物
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考题 低自旋配合物的K不稳值较大，高自旋配位物的K不稳值较小
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考题 在八面体的Fe2+离子的配合物中，高自旋状态与低自旋状态的LFSE差值的绝对值是（忽略成对能的影响）（）A、4DqB、16DqC、20DqD、24Dq
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考题 在八面体场中，既能形成低自旋又能形成高自旋配合物的过渡元素的d电子数应为（）。A、1～3个B、2～5个C、4～6个D、6～9个
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考题 CO是弱Lewis碱，所以由它形成的配合物都是高自旋的
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考题 根据晶体场理论，高自旋配合物的理论判据是（）。A、分裂能成对能B、电离能成对能C、分裂能成键能D、分裂能成对能
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考题 按晶体场理论，Co3+作为中心离子形成配合物时，在八面体弱场中，未成对电子数为（）个，d电子的分布为（）；在八面体强场中，理论磁矩是（），d电子的分布为（）；CFSE（）Dq。
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考题 化学势判据就是Gibbs自由能判据。
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考题 晶体场理论认为，当配合物的晶体场稳定化能为零时，该配合物不能稳定存在。
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考题 根据配合物的价键理论，配合物的形成体与配体之间以（）键结合，它是由配体提供的（）投入到形成体的（）形成的。由于配合物具有一定的空间构型，形成体参与成键的轨道采取（）方式。
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考题 低自旋型配合物的磁性一般来说比高自旋型配合物的磁性相当要弱一些
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考题 d6电子组态的过渡金属配合物，高自旋的晶体场稳定化能为（），高自旋的晶体场稳定化能为（）。
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考题 区分下列概念： （1）接受体原子和给予体原子； （2）配位体和配位原子； （3）配合物和复盐； （4）外轨配合物和内轨配合物； （5）高自旋配合物和低自旋配合物； （6）几何异构体和旋光异构体；
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考题 根据晶体场理论，在一个八面体强场中，中心离子d电子数为（）时，晶体场稳定化能最大。A、9B、6C、5D、3
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考题 络合物分裂能∆大于成对能P时，该络合物通常是属于（）型，其磁性（）
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考题 吉布斯能判据的适用条件是（）。
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考题 判断题教育经验总结能形成对教育实践具有间接指导作用旳教育理论。A 对B 错
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考题 单选题根据晶体场理论，判断高自旋配合物的判据为（）。A 分裂能大于成对能B 电离能大于成对能C 分裂能大于成对能D 分裂能小于成对能
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