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根据晶体场理论,高自旋配合物的理论判据是()。

A.分裂能成对能

B.电离能成对能

C.分裂能成键能

D.分裂能成对能

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考题 （基础题）根据晶体场理论，在八面体场中，由于场强的不同，有可能产生高自旋和低自旋的电子构型是（）A．d2B．d3C．d4D．d8
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考题 下列关于配合物的叙述中错误的是（）A．高自旋的八面体配合物的CFSE不一定小于低自旋的CFSEB．同种元素的内轨型配合物比外轨型配合物稳定C．中心离子的未成对电子愈多，配合物的磁矩愈大D．价键理论的内轨型配合物对应着晶体场理论的高自旋配合物
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考题 下列关于配合物的叙述中错误的是 （)A．高自旋的八面体配合物的CFSE不一定小于低自旋的CFSEB．同种元素的内轨型配合物比外轨型配合物稳定C．中心离子的未成对电子愈多，配合物的磁矩愈大D．价键理论的内轨型配合物对应着晶体场理论的高自旋配合物
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考题 3、（基础题）根据晶体场理论，在八面体场中，由于场强的不同，有可能产生高自旋和低自旋的电子构型是（）A．d2B．d3C．d4D．d8
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考题 根据晶体场理论，形成高自旋配合物的理论判据是：A．晶体场分裂能＞电子成对能B．电离能＞电子成对能C．晶体场分裂能＞成键能D．电子成对能＞晶体场分裂能
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考题 根据晶体场理论 ，在八面体场中 ，由于场强的不同 ，有可能产生高自旋和低自旋的电子构型是A．d 2B．d 3C．d 4D．d 8
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考题 在晶体场理论中，形成高自旋配合物的原因是A．分裂能＞成对能B．分裂能＜成对能C．分裂能＞电离能D．分裂能＜成键能
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考题 根据晶体场理论 ，形成高自旋配合物的理论判据是分裂能＜ 成对能
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考题 根据晶体场理论，在电子构型为d1-d10的过渡金属离子中，当形成六配位的八面体配合物时，其高自旋和低自旋配合物的电子排布不相同的中心离子的电子构型为 。
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