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【单选题】载流子由于浓度的原因发生的运动称为（）。

A．扩散运动

B．漂移运动

参考答案和解析
掺杂可以提高本征半导体的载流子浓度;低温时载流子主要形式是杂质提供;高温时载流子主要形式是半导体本征激发;杂质浓度也会影响载流子的浓度
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考题 在杂质半导体中,多数载流子的浓度取决于();当杂质浓度一定时,少数载流子的浓度与()有关。 A、掺杂种类B、掺杂浓度C、温度D、电压
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考题 载流子从浓度大的地方向浓度小的地方运动称为()。 A、漂移运动B、扩散运动
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考题 由于作用部位的药物浓度不同导致药物效应发生差异称为______差异，由于浓度相同但生理反应性不同所致药物效应发生差异称为______差异。
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考题 8)在NP结处发生多数载流子扩散运行，少数载流子漂移运动，结果形成了空间电荷区。（ ）
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考题 PN宽度稳定后，（）。A、载流子停止运动B、只有多数载流子的扩散运动C、扩散与漂移运行达到动态平衡D、只有少数载流子的漂移运动
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考题 在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于杂质浓度，而少数载流子的浓度则与（）有很大关系。
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考题 PN结在未达到平衡前存在两种载流子的运动，即（）A、载流子的浓度差引起的多子的漂移，电场引起的少子的扩散B、载流子的浓度差引起的多子的漂移，电场引起的少子的漂移C、载流子的浓度差引起的多子的扩散，电场引起的少子的扩散D、载流子的浓度差引起的多子的扩散，电场引起的少子的漂移
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考题 PN结中进行着两种载流子的运动：多数载流子的（）运动和少数载流子的（）运动。
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考题 PN结中载流子的漂移运动是由于（）而产生的。
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考题 当环境温度升高时，二极管的反向饱和电流Is将增大，是因为此时PN结内部的（）。A、多数载流子浓度增大B、少数载流子浓度增大C、多数载流子浓度减小D、少数载流子浓度减小
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考题 在杂质半导体中，多数载流子的浓度取决于（），而少数载流子的浓度则与（）有很大关系
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考题 在PN结的形成过程中，载流子的扩散运动是由于（）而产生的，漂移运动是（）作用下产生的。
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考题 由于空间电荷区内没有载流子，所以又称为耗尽层。
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考题 在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于（），而少数载流子的浓度则与（）有很大关系。
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考题 杂质半导体中的多数载流子和少数载流子是如何产生的？杂质半导体中少数载流子的浓度与本征半导体中载流子的浓度相比，哪个大？为什么？
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考题 半导体中的载流子有两种导电运动，一种称为（）运动，另一种称为（）运动。
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考题 对于大注入下的直接复合，非平衡载流子的寿命不再是个常数，它与（）。A、非平衡载流子浓度成正比；B、平衡载流子浓度成正比；C、非平衡载流子浓度成反比；D、平衡载流子浓度成反比。
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考题 本征半导体由于热运动产生载流子使本征半导体中有（）A、电子载流子B、空穴载流子C、电子载流子和空穴载流子
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考题 在NP结处发生多数载流子扩散运行，少数载流子漂移运动，结果形成了空间电荷区。
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考题 填空题使非平衡载流子浓度增加的运动叫（）；使非平衡载流子浓度减少的运动叫（）。
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考题 填空题（）和（）是半导体的主要载流子，N型半导体中（）浓度高于（）浓度，而 P型半导体中（）浓度高于 电子浓度，（）半导体中的两种载流子浓度相等。
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考题 填空题光照增强的同时，载流子浓度不断的增加，同时光敏电阻的温度也在升高，从而导致载流子运动加剧，因此复合几率也增大，光电流呈（）趋势。
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考题 单选题半导体材料的电阻率与载流子浓度有关，同样的掺杂浓度，载流子的迁移率越大，材料的电阻率（）A 越高B 不确定C 越低D 不变
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考题 填空题载流子热运动引起的电流起伏或电压起伏，这种噪声称为（）。
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考题 单选题对于大注入下的直接复合，非平衡载流子的寿命不再是个常数，它与（）。A 非平衡载流子浓度成正比；B 平衡载流子浓度成正比；C 非平衡载流子浓度成反比；D 平衡载流子浓度成反比。
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考题 单选题PN结在未达到平衡前存在两种载流子的运动，即（）A 载流子的浓度差引起的多子的漂移，电场引起的少子的扩散B 载流子的浓度差引起的多子的漂移，电场引起的少子的漂移C 载流子的浓度差引起的多子的扩散，电场引起的少子的扩散D 载流子的浓度差引起的多子的扩散，电场引起的少子的漂移
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考题 填空题半导体受到光照时，由于吸收光子使其中的载流子浓度增大，因而导致材料的电导率增大，称为（）效应。
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考题 单选题当半导体材料受到光照时，由于对光子的吸收引起载流子浓度的变化，因而导致材料电导率的变化，这种现象称为（）A 光伏效应；B 光电导效应；C 光电发射效应；D 光热效应。
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