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单选题
DRAM的存取时间可能是()
A

8~15ms

B

55~250ns

C

50~70ns

D

7~20ns


参考答案

参考解析
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考题 从发出命令到存储器送山数据所需的时间称为读出时间从发出写命令到数据稳定地写入存储器所需的时间称为写入时间。下面是关于存取时间的四种说法,其中止确的是( )。A.读出时间与写入时间之和称为存取时间B.读出时间现[现入时间统称为存取时间C.存取时间就是读出时间D.存取时间就是写入时间

考题 假设主频为66MHz的Pentium微处理器以非流水线方式访问存取时间为60ns的DRAM存储器,则在T1周期与T2周期之间至少应插入几等特状态?A.1个B.2个C.4个D.6个

考题 下面是有关DRAM和SRAM存储器芯片的叙述:① SRAM比DRAM存储电路简单② SRAM比DRAM成本高③ SRAM比DRAM速度快④ SRAM需要刷新,DRAM不需要刷新A.①和②B.②和③C.③和④D.①和④

考题 下面是有关DRAM和SRAM存储器芯片的叙述 Ⅰ.DRAM存储单元的结构比SRAM简单 Ⅱ.DRAM比SRAM成本高 Ⅲ.DRAM比SRAM速度快 Ⅳ.DRAM要刷新,SRAM不需刷新 其中正确的是A.Ⅰ和ⅡB.Ⅱ和ⅢC.Ⅲ和ⅣD.Ⅰ和Ⅳ

考题 假设主频为66MHz的Pentium微处理器以非流水线方式访问存取时间为60ns的 DRAM存储器,则在T1周期与T2周期之间至少应插入______等待状态。A.1个B.2个C.4个D.6个

考题 下面是有关DRAM和SRAM存储器芯片的叙述:Ⅰ.DRAM存储单元的结构比SRAM简单Ⅱ.DRAM比SRAM成本高Ⅲ.DRAM比SRAM速度快Ⅳ.DRAM要刷新,SRAM不需刷新其中哪两个叙述是错误的?A.Ⅰ和ⅡB.Ⅱ和ⅢC.Ⅲ和ⅣD.Ⅰ和Ⅳ

考题 PC机中,DRAM内存条的速度与类型有关,若按存取速度从低到高的顺序排列,正确的是A.SDRAM、RDRAM、EDO DRAMB.EDO DRAM、SDRAM、RDRAMC.EDO DRAM、RDRAM、SDRAMD.RDRAM、EDO DRAM、SDRAM

考题 下面是关于DRAM和SRAM存储器芯片的叙述:Ⅰ.SRAM比DRAM集成度高Ⅱ.SRAM比DRAM成本高Ⅲ.SRAM比DRAM速度快 Ⅳ.SRAM需要刷新,DRAM不需要刷新其中正确的叙述是A.Ⅰ和ⅡB.Ⅱ和ⅢC.Ⅲ和ⅣD.Ⅰ和Ⅳ

考题 DRAM与SRAM比较:() A、DRAM比SRAM速度快B、DRAM比SRAM价格低C、DRAM比SRAM较容易使用

考题 CPU执行指令需要从存储器读取数据时,数据搜索的顺序是()。 A、cache、DRAM和硬盘B、DRAM、cache和硬盘C、硬盘、DRAM和cacheD、DRAM、硬盘和cache

考题 下面有关DRAM和SRAM存储器芯片的叙述,正确的是( )。Ⅰ DRAM比SRAM集成度高Ⅱ DRAM比SRAM成本高Ⅲ DRAM比SRAM速度快Ⅳ DRAM需要刷新,SRAM不需要刷新A.Ⅰ和ⅡB.Ⅱ和ⅢC.Ⅲ和ⅣD.Ⅰ和Ⅳ

考题 下面是有关DRAM和SRAM存储器芯片的叙述,其中哪两个是正确的?( )。Ⅰ DRAM比SRAM集成度高Ⅱ DRAM比SRAM成本高Ⅲ DRAM比SRAM速度快Ⅳ DRAM需要刷新, SRAM不需刷新A.Ⅰ和ⅡB.Ⅱ和ⅢC.Ⅲ和ⅣD.Ⅰ和Ⅳ

考题 下列关于硬磁盘的平均存取时间的说法正确的是(243)。A.平均存取时间是硬磁盘的寻道时间B.平均存取时间是磁头由某一磁道移到相邻磁道的时间C.平均存取时间是磁头在某一磁道等待汜录扇区的时间D.平均存取时间是硬磁盘的寻道时间加磁头在某一磁道等待记录扇区的时间

考题 假设主频为100MHz的微处理器以非流水线方式访问存取时间为50ns的DRAM存储器,则在T1周期与T2周期之间至少应插入【 】个等待状态。

考题 为提高PC机主存储器的存取速度,出现了多种类型的DRAM内存条,若按存取速度从低到高排列,正确的顺序是( )。A.EDO DRAM,SDRAM,RDRAMB.EDO DRAM,RDRAM,SDRAMC.SDRAM,EDO DRAM,RDRAMD.RDRAM,DEO DRAM,SDRAM

考题 SRAM和DRAM的区别?() A.SRAM比DRAM功耗高B.SRAM比DRAM成本高C.SRAM比DRAM速度快D.SRAM比DRAM散热大

考题 EDO RAM和FPM DRAM的最大区别是()。 A.没有区别B.EDO RAM比FPM DRAM的快C.FPM DRAM比EDO RAM的快D.EDO RAM比FPM DRAM小E.FPM DRAM比EDO RAM价格高

考题 在Cache和主存构成的两级存储体系中,主存与Cache同时访问,Cache的存取时间是100ns,主存的存取时间是1000ns,如果希望有效(平均)存取时间不超过Cache存取时间的115%,则Cache的命中率至少应为()。A.90% B.98% C.95% D.99%

考题 存取时间

考题 以下哪项关于SRAM和DRAM的区别是不对的。()A、SRAM比DRAM慢B、SRAM比DRAM耗电多C、DRAM存储密度比SRAM高得多D、DRM需要周期性刷新

考题 以下哪项关于SRAM和DRAM的区别是不对()A、SRAM比DRAM慢B、SRAM比DRAM耗电多C、DRAM存储密度比SRAM高得多D、DRM需要周期性刷新

考题 以下关于SRAM和DRAM的区别描述中,()是不对的。A、SRAM比DRAM慢B、SRAM比DRAM耗电多C、DRAM存储密度比SRAM高得多D、DRAM需要周期性刷新

考题 下面是有关DRAM和SRAM存储器芯片的叙述: ①SRAM比DRAM存储电路复杂  ②SRAM比DRAM成本高 ③SRAM比DRAM速度慢  ④SRAM需要刷新,DRAM不需要刷新; 其中正确的是()。A、①和②B、②和③C、③和④D、①和④

考题 下面是有关DRAM和SRAM存储器芯片的叙述正确的是().①SRAM比DRAM存储电路简单②SRAM比DRAM成本高③SRAM比DRAM速度快④SRAM需要刷新,DRAM不需要刷新A、①和②B、②和③C、③和④D、①和④

考题 CPU执行指令需要从存储器读取数据时,数据搜索的先后顺序是()A、Cache、DRAM和硬盘B、DRAM、Cache和硬盘C、硬盘、DRAM和CacheD、DRAM、硬盘和Cache

考题 SRAM和DRAM的区别?()A、SRAM比DRAM功耗高B、SRAM比DRAM成本高C、SRAM比DRAM速度快D、SRAM比DRAM散热大

考题 单选题EDO RAM和FPM DRAM的最大区别是()。A 没有区别B EDO RAM比FPM DRAM的快C FPM DRAM比EDO RAM的快D EDO RAM比FPM DRAM小E FPM DRAM比EDO RAM价格高