考题
在相同条件下，用QSl西林电桥测量小电容试品的tgδ和Cx时，用正接线方法和反接线方式测量的结果是完全相同的。( )
考题
用QS－1型西林电桥反接线测量时,试验电压不能超过()KV,而正接线测量时却()限制。
考题
西林电桥测试tanδ时采用正接线时适用于被试品不能与地隔离时的测量。A对B错
考题
采用QS1电桥测量tanδ的接线方式一般有差接线及和接线。A对B错
考题
采用QS1电桥测量tanδ，正接线比反接线准确度低。A对B错
考题
采用QS1交流电桥在现场测量设备的tgδ时，若试品的电容量较小，测量中出现负值，一定是存在着电场干扰。
考题
西林电桥测试tanδ时采用正接线时适用于被试品不能与地隔离时的测量。
考题
在相同条件下，用QS1型西林电桥测量小电容试品中的tg∮和C时，用正接线方式和反接线方式测量的结果是完全相同的。
考题
用末端屏蔽法测量串级式电压互感器的tg∮具体接法是：高压绕组A端加压，X端和底座接地；二次测量绕线和辅助绕组均短接后与电桥CX引线相连；电桥按正接线方式工作。
考题
QS1型西林电桥正接线时电桥桥臂都处于高电位。
考题
采用QS1电桥测量tanδ，正接线比反接线准确度低。
考题
采用QS1电桥测量tanδ的接线方式一般有差接线及和接线。
考题
西林电桥测试tanδ时采用（）时适用于被试品不能与地隔离时的测量。A、正接线B、反接线C、交叉接线
考题
为什么用QS1型西林电桥测量小电容试品介质损耗因数时，采用正接线好？
考题
在相同条件下，用QSI型西林电桥测量小电容试品的tgδT和C时，用正接线方式和反接线方式测量的结果是完全相同的。
考题
用QS1型西林电桥测量介损时，怎样选择分流器位置？若被试品电容量约为4000pF（U＝10kV）分流器应在何位置？
考题
在现场相同条件下（好天气），用介损仪测量小电容试品的tgδ和Cx时，用正接线方法和反接线方法测量结果是完全相同的。
考题
变压器采用QS1型交流电桥反接线测量线圈绕组tgδ时，对于三线圈变压器试写出被试线圈及相应的接地部位。
考题
小电容（小于500PF）试品，主要有电容型套管、电容型电流互感器等，对这些试品采用介损仪正、反接线进行测量，测得的介损tgδ值是一样的。
考题
用QS1电桥测量变压器套管连同绕组一起的介损tgδ，应采用何种接线？如何接线？
考题
用正接接线方式，测量一台110kV耦合电容器主绝缘介损tgδ，如介损仪的Cx与其耦合电容的末屏（接地小套管）接触不良，影响介损测量结果准确性。
考题
现场测试中，使用QS1电桥测tgδ%，下列设备哪些适合正接线。（）A、变压器本体B、变压器电容型套管C、耦合电容器D、CVT
考题
判断题采用QS1电桥测量tanδ的接线方式一般有差接线及和接线。A
对B
错
考题
判断题西林电桥测试tanδ时采用正接线时适用于被试品不能与地隔离时的测量。A
对B
错
考题
单选题试品电容量约15000pF，使用QS1型西林电桥，施加10kV测量其tgδ时，电桥分流器位置宜选定在（）档位置A
0.01B
0.025C
0.06D
0.15
考题
判断题QS1型西林电桥正接线时电桥桥臂都处于高电位。A
对B
错
考题
单选题西林电桥测试tanδ时采用（）时适用于被试品不能与地隔离时的测量。A
正接线B
反接线C
交叉接线