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变压器采用QS1型交流电桥反接线测量线圈绕组tgδ时,对于三线圈变压器试写出被试线圈及相应的接地部位。


参考答案

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考题 采用QS1电桥测量tanδ的接线方式一般有差接线及和接线。A对B错

考题 采用QS1电桥测量tanδ,正接线比反接线准确度低。A对B错

考题 采用QS1交流电桥在现场测量设备的tgδ时,若试品的电容量较小,测量中出现负值,一定是存在着电场干扰。

考题 QS1型交流电桥测量时,标准电容CN和试验变压器QS1电桥距离应不小于()。A、0.2mB、0.5mC、1mD、1.5m

考题 在相同条件下,用QS1型西林电桥测量小电容试品中的tg∮和C时,用正接线方式和反接线方式测量的结果是完全相同的。

考题 QS1型西林电桥正接线时电桥桥臂都处于高电位。

考题 使用QS1电桥测量tgδ时,接通或断开电源时,检流计灵敏度应在()。

考题 使用QS1型交流电桥测量tanØ时,现场采用排除电场干扰的方法有以下几种()A、提高试验电压B、采用正接线方法C、用电桥内部“选相”、“倒相”法接线,排除干扰源对电源相位的干扰D、在被试设备上加装屏蔽罩

考题 使用QS1型交流电桥测量tanØ时,造成-tanØ值出现的原因有()A、温度影响B、强电场干扰C、测量中接线错误D、测量有抽取电压装置的电容式套管时,套管表面脏污

考题 采用QS1电桥测量tanδ,正接线比反接线准确度低。

考题 采用QS1电桥测量tanδ的接线方式一般有差接线及和接线。

考题 采用QS1电桥测量tanδ,正接线比反接线准确度()。A、低B、高C、相等

考题 为什么用QS1型西林电桥测量小电容试品介质损耗因数时,采用正接线好?

考题 现场试验中,使用QS1电桥测tgδ%,适合正接线的设备是()。A、变压器本体B、变压器的电容型套管C、消弧线圈D、电磁式电流互感器本体

考题 采用QS1电桥测量串级式电压互感器支架介损tgδ值时,可选择的接线方法是()。A、自激法B、末端加压法C、末端屏蔽法

考题 QS1型交流电桥在使用时有通常有以下()接线方法A、正接线B、反接线C、侧接线D、低压接线

考题 测量tgδ时,为何要选择QS1电桥的分流位置?

考题 采用QS1电桥测量串级式电流互感器支架介损tgδ值时,可选择接线方法是()。A、自激法B、它激法C、未端加压法D、未端屏蔽法

考题 用QS1交流电桥测量介损tgδ出现负值的主要原因是磁场干扰。

考题 用QS1电桥测量变压器套管连同绕组一起的介损tgδ,应采用何种接线?如何接线?

考题 用QS1型西林电桥测tgδ时的操作要点有哪些?

考题 现场测试中,使用QS1电桥测tgδ%,下列设备哪些适合正接线。()A、变压器本体B、变压器电容型套管C、耦合电容器D、CVT

考题 判断题采用QS1电桥测量tanδ,正接线比反接线准确度低。A 对B 错

考题 单选题采用QS1电桥测量tanδ,正接线比反接线准确度()。A 低B 高C 相等

考题 判断题采用QS1电桥测量tanδ的接线方式一般有差接线及和接线。A 对B 错

考题 问答题一台变压器,用QS1交流电桥测量高压绕组对其他绕组及地的介质损耗tgδ和Cx时,已知试验电压为10KV,标准电容CN为50皮法,分流器在0.06档,电桥平衡时,R3为64欧,e为0.4欧,tgδ为0.8%,试计算Cx之值(R4为3184欧)。

考题 判断题在相同条件下,用QS1型西林电桥测量小电容试品中的tg∮和C时,用正接线方式和反接线方式测量的结果是完全相同的。A 对B 错